时间：2025/9/14 11:26:19
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ME75N80A是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种高功率电子设备中。该器件采用先进的平面技术制造，具有优异的导通电阻和热稳定性。ME75N80A通常用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等高电流应用。其封装形式为TO-220AB，便于安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：75A
最大漏源电压：800V
导通电阻（Rds(on)）：0.11Ω
栅极电压范围：±30V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220AB
ME75N80A的主要特性包括其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。此外，其高耐压能力（800V）使其适用于高电压环境，例如工业电源和变频器系统。该器件还具有良好的热稳定性，可以在高电流负载下保持稳定运行。ME75N80A的快速开关特性使其适用于高频应用，从而减少电路设计中的开关损耗。另外，其坚固的封装设计有助于提高散热性能，延长使用寿命。
在可靠性方面，ME75N80A采用了多重保护机制，例如过热保护和短路保护，以确保在极端条件下仍能正常工作。其栅极驱动设计也相对简单，降低了外围电路的复杂度。这使得ME75N80A成为许多高功率应用的理想选择。
ME75N80A常用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、工业电机控制和负载开关等应用。此外，它也广泛应用于电动车充电系统、太阳能逆变器以及家用电器中的电源管理模块。由于其高耐压和大电流能力，该器件特别适合需要高效能和高可靠性的工业设备。
IRF75N80C、STF75N80、FQA75N80、TK75N80
