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TISP1070H3BJR-S 发布时间 时间:2025/12/28 22:29:53 查看 阅读:23

TISP1070H3BJR-S 是由STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款双向电压抑制二极管(TVS,Transient Voltage Suppressor),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压和其他瞬态过电压的损害。该器件采用SOT-23-3封装,具有紧凑的外形和高效的保护性能,适用于各种低电压电子系统的电路保护。

参数

类型:双向TVS
  最大反向工作电压:10V
  钳位电压(Vc):最大17.8V
  峰值脉冲电流(Ipp):10A
  响应时间:小于1ns
  封装形式:SOT-23-3

特性

TISP1070H3BJR-S 具备快速响应时间,能够在瞬态电压事件发生的极短时间内进行钳位保护,防止敏感电子元件受损。该器件采用先进的硅雪崩二极管技术,确保在极端电压条件下仍能保持稳定的工作性能。此外,其低漏电流特性使其在正常工作电压范围内对系统功耗影响极小,适合用于对功耗要求较高的便携式设备和低功耗系统。TISP1070H3BJR-S 还具有高可靠性,在多次瞬态电压冲击下仍能保持良好的保护性能。
  这款TVS器件的双向设计使其能够适用于正负极性变化的信号线路保护,如USB接口、HDMI接口、RS-485通信线路等。其紧凑的SOT-23-3封装形式不仅节省空间,还便于在高密度PCB布局中使用。TISP1070H3BJR-S 符合IEC 61000-4-2标准,能够承受高达±30kV的ESD冲击,为系统提供高等级的电磁兼容性(EMC)保护。

应用

TISP1070H3BJR-S 广泛应用于各种电子设备的电路保护中,尤其适用于需要防止静电放电和瞬态电压冲击的场合。典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、工业控制设备、通信设备、消费类电子产品等。该器件常用于保护USB 2.0、HDMI、以太网、RS-232/RS-485等高速数据通信接口,防止因静电放电或雷击浪涌引起的损坏。此外,它也常用于电源输入端口、传感器接口、音频/视频信号线路等关键电路节点的保护设计中。

替代型号

PESD12LVH1BA, SP3052BA-L/TR

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