BUK9Y65-100E,115 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高效率电源转换系统,例如电源供应器、马达控制、DC-DC 转换器以及负载开关等应用。其封装形式为 TO-220AB,具备良好的热性能和可靠性。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流(ID):65A
漏极-源极电压(VDS):100V
栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):11.5mΩ(典型值,VGS=10V)
功率耗散(PD):160W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
BUK9Y65-100E,115 具有非常低的导通电阻(RDS(on)),这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗,提高系统效率。其导通电阻典型值为 11.5mΩ,在 VGS=10V 的条件下可以实现更低的压降和更少的热量产生。此外,该器件的漏极电流额定值为 65A,能够在高负载条件下稳定运行。
该 MOSFET 还具备优异的热性能,采用 TO-220AB 封装,有助于有效地将热量传导至散热片,从而提高器件的热稳定性和长期可靠性。其最大工作温度可达 +175°C,适用于高温环境下的应用。
该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V,允许使用常见的 10V 或 12V 驱动电路进行控制,兼容性强。此外,其快速开关特性可减少开关损耗,适用于高频开关应用。
BUK9Y65-100E,115 还具备良好的抗雪崩能力,能够在瞬态过压条件下提供额外的保护,提高系统的鲁棒性。该器件符合 RoHS 环保标准,适合现代绿色电子产品的设计需求。
BUK9Y65-100E,115 主要用于各种高功率和高效率的电源管理系统中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制电路。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能电源设计的理想选择。
在电动车和电池管理系统中,该器件可用于高侧或低侧开关,控制电池的充放电过程。此外,它还可用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块,提高能源利用效率。
由于其优异的热性能和可靠性,BUK9Y65-100E,115 也常用于需要长时间运行的工业设备中,如伺服电机控制、不间断电源(UPS)以及电源管理系统等。
STP65N10AG, IRF1404, FDP6670, SiHHU65N10