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BUK9Y65-100E,115 发布时间 时间:2025/9/14 17:25:31 查看 阅读:3

BUK9Y65-100E,115 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高效率电源转换系统,例如电源供应器、马达控制、DC-DC 转换器以及负载开关等应用。其封装形式为 TO-220AB,具备良好的热性能和可靠性。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏极电流(ID):65A
  漏极-源极电压(VDS):100V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):11.5mΩ(典型值,VGS=10V)
  功率耗散(PD):160W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

BUK9Y65-100E,115 具有非常低的导通电阻(RDS(on)),这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗,提高系统效率。其导通电阻典型值为 11.5mΩ,在 VGS=10V 的条件下可以实现更低的压降和更少的热量产生。此外,该器件的漏极电流额定值为 65A,能够在高负载条件下稳定运行。
  该 MOSFET 还具备优异的热性能,采用 TO-220AB 封装,有助于有效地将热量传导至散热片,从而提高器件的热稳定性和长期可靠性。其最大工作温度可达 +175°C,适用于高温环境下的应用。
  该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V,允许使用常见的 10V 或 12V 驱动电路进行控制,兼容性强。此外,其快速开关特性可减少开关损耗,适用于高频开关应用。
  BUK9Y65-100E,115 还具备良好的抗雪崩能力,能够在瞬态过压条件下提供额外的保护,提高系统的鲁棒性。该器件符合 RoHS 环保标准,适合现代绿色电子产品的设计需求。

应用

BUK9Y65-100E,115 主要用于各种高功率和高效率的电源管理系统中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制电路。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能电源设计的理想选择。
  在电动车和电池管理系统中,该器件可用于高侧或低侧开关,控制电池的充放电过程。此外,它还可用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块,提高能源利用效率。
  由于其优异的热性能和可靠性,BUK9Y65-100E,115 也常用于需要长时间运行的工业设备中,如伺服电机控制、不间断电源(UPS)以及电源管理系统等。

替代型号

STP65N10AG, IRF1404, FDP6670, SiHHU65N10

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BUK9Y65-100E,115参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥6.68000剪切带(CT)1,500 : ¥2.85015卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)19A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)63.3 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)14 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1523 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)64W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LFPAK56,Power-SO8
  • 封装/外壳SC-100,SOT-669