类型：NPN 达林顿晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：100 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　集电极电流（IC）：5 A
　　功率耗散（PD）：65 W
　　直流电流增益（hFE）：1000 @ IC = 3 A
　　饱和电压（VCE(sat)）：2 V @ IC = 3 A
　　工作结温范围（Tj）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

TIP122-TU的核心优势在于其达林顿晶体管结构，这种结构通过将两个NPN晶体管集成在一个芯片上并以级联方式连接，实现了极高的电流增益。这意味着它可以在非常小的输入基极电流下控制高达数安培的负载电流，极大地降低了对前级驱动电路的要求，特别适合微控制器或逻辑门直接驱动的应用场景。例如，在单片机控制系统中，GPIO引脚输出电流有限，通常不足以直接驱动大功率负载，而使用TIP122-TU则可以通过几毫安的基极电流来控制数安培的电机或继电器线圈，从而实现高效的功率接口。
　　该器件具有出色的热稳定性与过载承受能力。TO-220封装提供了良好的散热性能，允许器件在高功耗条件下长时间运行，尤其是在配备适当散热片的情况下，能够有效降低结温上升，延长使用寿命。此外，TIP122-TU的最大集电极电流可达5A，峰值电流甚至更高，使其适用于瞬态大电流负载，如启动阶段的直流电机或电磁阀等感性负载。同时，其100V的VCEO额定电压确保了在多种电源电压环境下都能安全工作，包括常见的24V、48V工业控制系统。
　　另一个关键特性是其内置的基极-发射极电阻网络。这一设计有助于提高器件的抗干扰能力和开关响应稳定性。在没有外部偏置电阻的情况下，内部电阻可以有效地泄放基区积累的电荷，防止因漏电流或噪声干扰导致的误导通现象。这不仅简化了外围电路设计，减少了元件数量，还提高了整体系统的可靠性。此外，较低的饱和压降（典型值2V@3A）意味着在导通状态下功耗相对较低，虽然仍高于现代MOSFET器件，但在许多传统应用中仍是可接受的。
　　TIP122-TU还具备良好的安全工作区（SOA），能够在较宽的电压和电流组合下可靠运行，避免二次击穿问题。这对于开关感性负载尤其重要，因为在关断过程中可能会产生反向电动势，造成瞬时高压大电流应力。得益于其坚固的结构设计和制造商严格的质量控制，TIP122-TU在恶劣环境下的长期稳定性表现优异，广泛应用于工业控制、汽车电子、家用电器等领域。

TIP122-TU广泛应用于需要中高功率开关控制的各种电子系统中。最常见的用途之一是作为继电器驱动器，在自动化控制系统中，微控制器通过限流电阻连接到TIP122-TU的基极，当输出高电平时，晶体管导通，使继电器线圈通电吸合，从而控制更大功率的交流或直流负载。由于其高电流增益特性，无需复杂的驱动电路即可实现可靠的继电器控制。
　　在电机控制领域，TIP122-TU可用于小型直流电机的速度调节或启停控制，特别是在模型车、风扇调速、泵控制等应用场景中。配合PWM信号输入，它可以作为一个简单的线性或开关式调速模块的核心元件。尽管不适用于高频或高效能要求的H桥驱动，但对于低成本、低频率切换的应用来说，TIP122-TU是一个经济且可靠的解决方案。
　　照明控制也是其典型应用之一，尤其是白炽灯、卤素灯或LED阵列的开关控制。由于这些负载在冷态下可能存在较大的浪涌电流，TIP122-TU的高电流承载能力和耐冲击特性使其能够应对这类瞬态应力，保证长期稳定运行。
　　此外，该器件还可用于电源稳压电路中的串联调整管、过流保护电路中的检测开关、逆变器和UPS系统中的功率级驱动，以及各类工业执行机构的驱动接口。由于其通用性强、价格低廉、易于获取，TIP122-TU成为许多工程师在原型开发和批量生产中的首选达林顿晶体管之一。

TIP127,TIP125,BC337-40,NTE274