时间：2025/5/7 16:22:36
阅读：7
STP10NK80Z 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于需要高效能和可靠性的功率转换应用中。
STP10NK80Z 的耐压等级为 800V，能够承受较高的反向电压，同时其连续漏极电流能力达到 10.5A（在 25°C 条件下）。这种特性使其成为各种工业及消费类电子设备的理想选择。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：10.5A（@25°C）
导通电阻：3.6Ω（最大值，@Vgs=10V）
栅极电荷：45nC（典型值）
输入电容：1390pF（典型值）
总功耗：210W（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
STP10NK80Z 具备以下显著特性：
1. 高耐压能力（800V），适用于高压环境下的开关应用。
2. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提升系统效率。
3. 快速开关性能，适合高频操作场景。
4. 良好的热稳定性，可在宽温度范围内可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计。
6. 封装形式为 TO-220 FullPAK，便于散热和安装。
STP10NK80Z 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器电路。
3. 各种工业控制和家电中的功率管理模块。
4. 照明应用如 LED 驱动和荧光灯电子镇流器。
5. 电池充电器和其他需要高效功率开关的应用。
IRFP260N
FDP18N80
IXTP12N80P
