TIP112F 时间：2025/9/11 10:16:23 阅读：9

TIP112F 是一款 NPN 型功率达林顿晶体管（Darlington Transistor），广泛用于需要高电流和高增益的功率放大和开关应用中。该晶体管具有高电流放大系数（hFE），能够提供较大的集电极电流，适用于工业控制、继电器驱动、电机控制以及电源管理等场景。TIP112F 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适合在中等功率条件下使用。

参数

晶体管类型：NPN 达林顿晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极-基极电压（VCBO）：100V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：3A
　　最大功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　电流增益（hFE）：1000（最小值，IC=2A）
　　过渡频率（fT）：4MHz（典型值）
　　饱和压降（VCE(sat)）：2V（最大值，IC=3A）

特性

高电流增益：TIP112F 采用达林顿结构，具有非常高的电流增益（hFE），通常在1000以上，使其能够在小信号控制下驱动大电流负载。
　　大电流承载能力：该晶体管的最大集电极电流可达3A，适合用于继电器、直流电机、电磁阀等大电流负载的控制。
　　良好的热稳定性：TO-220封装提供了良好的散热性能，使得TIP112F在较高功耗条件下仍能保持稳定工作。
　　低饱和压降：在导通状态下，TIP112F的VCE(sat)较低，有助于减少功率损耗，提高效率。
　　宽电压工作范围：其VCEO和VCBO均为100V，适用于多种电源电压配置的电路设计。
　　广泛的工作温度范围：TIP112F能够在-65°C至+150°C的温度范围内正常工作，适应性强，适合工业级应用环境。

应用

TIP112F 主要用于需要高增益和大电流输出的功率开关和放大电路中。典型应用包括继电器驱动电路，用于控制高压或高功率设备；直流电机控制电路，如机器人、自动化设备和电动工具中的调速控制；电磁阀、加热元件等感性负载的开关控制；电源管理系统中的电流调节和稳压电路；工业自动化设备中的信号放大和负载驱动电路。