类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.7mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约170nC
　　最大功耗（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

THP247 具备多个显著的技术优势和特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了在高电流应用中的导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件支持高达80A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。此外，THP247 的最大漏源电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于各种电源转换和电机驱动场景。
　　THP247 采用了先进的封装技术，具备良好的热管理和散热能力，从而在高负载条件下保持稳定运行。其栅极电荷较低，有助于实现快速开关操作，减少开关损耗，提高整体系统的能效。该器件还具备出色的短路和过热保护能力，增强了系统的可靠性和安全性。
　　此外，THP247 的工作温度范围从-55°C到175°C，能够在极端环境下保持稳定的性能，适用于工业控制、汽车电子、可再生能源等复杂环境中的应用。

THP247 适用于多种高功率和高频率的电子系统中。其主要应用包括但不限于：电源管理系统，如DC-DC转换器和AC-DC电源适配器；电机驱动和控制电路，特别是在工业自动化和机器人系统中；电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统；太阳能逆变器和储能系统中的功率开关；以及各种需要高效功率转换和控制的工业设备。
　　由于其高耐压和大电流能力，THP247 也常用于高频开关电源、LED照明驱动电路以及大功率音频放大器等应用中。在这些场景中，该器件能够提供出色的能效和稳定性，满足高性能设计需求。

STP80NF10, IRF1405, FDP80N10