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THP247 发布时间 时间:2025/7/22 14:21:06 查看 阅读:6

THP247 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能功率MOSFET晶体管,主要用于高功率和高频率的应用场景。该器件采用先进的技术制造,具备优异的导通电阻、快速开关特性以及高耐压能力,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):80A
  导通电阻(Rds(on)):约2.7mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):约170nC
  最大功耗(Ptot):300W
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

THP247 具备多个显著的技术优势和特性。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了在高电流应用中的导通损耗,提高了系统效率。其次,该器件支持高达80A的连续漏极电流,适用于高功率密度设计。此外,THP247 的最大漏源电压为100V,能够承受较高的电压应力,适用于各种电源转换和电机驱动场景。
  THP247 采用了先进的封装技术,具备良好的热管理和散热能力,从而在高负载条件下保持稳定运行。其栅极电荷较低,有助于实现快速开关操作,减少开关损耗,提高整体系统的能效。该器件还具备出色的短路和过热保护能力,增强了系统的可靠性和安全性。
  此外,THP247 的工作温度范围从-55°C到175°C,能够在极端环境下保持稳定的性能,适用于工业控制、汽车电子、可再生能源等复杂环境中的应用。

应用

THP247 适用于多种高功率和高频率的电子系统中。其主要应用包括但不限于:电源管理系统,如DC-DC转换器和AC-DC电源适配器;电机驱动和控制电路,特别是在工业自动化和机器人系统中;电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统;太阳能逆变器和储能系统中的功率开关;以及各种需要高效功率转换和控制的工业设备。
  由于其高耐压和大电流能力,THP247 也常用于高频开关电源、LED照明驱动电路以及大功率音频放大器等应用中。在这些场景中,该器件能够提供出色的能效和稳定性,满足高性能设计需求。

替代型号

STP80NF10, IRF1405, FDP80N10

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