类型: MOSFET
　　晶体管类型: N 沟道
　　技术: 增强型
　　最大漏极电流: 70A
　　最大漏源电压: 100V
　　最大栅极源极电压: ±20V
　　导通电阻（Rds(on)）: 12mΩ
　　封装类型: TO-220
　　安装类型: 通孔
　　工作温度范围: -55°C 至 175°C
　　功率耗散: 150W
　　栅极电荷（Qg）: 85nC
　　输入电容（Ciss）: 2500pF
　　过渡频率（fT）: 10MHz

THCS70E1C686MTF 是一款性能优异的功率 MOSFET，采用了先进的沟槽技术，确保了极低的导通电阻（Rds(on)）和高效的电流传输能力。其最大漏源电压为 100V，最大漏极电流可达 70A，适合高电压和高电流的功率应用。该器件的导通电阻仅为 12mΩ，大大降低了功率损耗，提高了系统的能效。
　　此外，THCS70E1C686MTF 具备高热稳定性和强大的功率耗散能力（150W），能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。它的栅极电荷（Qg）为 85nC，输入电容（Ciss）为 2500pF，使其在高频开关应用中表现优异，适用于电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制等高频操作场景。
　　该 MOSFET 的封装形式为 TO-220，安装方式为通孔，便于散热和安装。其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适用于各种严苛的环境条件。THCS70E1C686MTF 还具备良好的抗静电能力，能够有效防止静电放电对器件的损坏，提高系统的可靠性和寿命。

THCS70E1C686MTF 主要应用于需要高效能功率管理的电子设备中。常见的应用包括电源供应器、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、工业自动化系统、电池管理系统以及消费类电子产品中的高功率开关电路。

Si7461DP, IRF1404, FDP7461, IPW90R120C3, STP75NF75