THCS60E1C686MTF 是一款由 Vishay Siliconix 生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压和高电流的应用。这款MOSFET具有较低的导通电阻,能够在高频率下工作,适合用于电源管理和功率转换系统。
类型:功率MOSFET
结构:N沟道
漏极电流(Id):60A
漏极-源极击穿电压(Vds):100V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):0.018Ω
工作温度范围:-55°C至175°C
THCS60E1C686MTF 的主要特性包括低导通电阻、高电流处理能力以及高电压耐受能力。
低导通电阻意味着在导通状态下,MOSFET的功率损耗较低,从而提高了系统的整体效率。
该MOSFET的高电流处理能力使其能够在高负载条件下稳定工作,适用于需要高功率输出的应用场景。
此外,THCS60E1C686MTF 具有良好的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下正常工作,适用于工业级和汽车级应用。
封装设计方面,该MOSFET采用了TO-220封装,便于散热和安装,适合用于PCB板的设计和制造。
THCS60E1C686MTF 常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器以及工业自动化设备等应用场景。
在电源管理领域,该MOSFET可以作为开关元件,用于调节和控制电源的输出。
在DC-DC转换器中,THCS60E1C686MTF 的高效率特性能够显著提升转换效率,降低能耗。
在电机控制应用中,该MOSFET的高电流处理能力使其能够驱动大功率电机,适用于电动工具和自动化设备。
此外,THCS60E1C686MTF 也广泛应用于汽车电子系统,如车载充电器和电动车辆的动力管理系统。
SiHF60N100E、IRF1405、FDP6030L