容量：225pF（220pF 到 230pF）
　　容差：±0.5pF
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：C0G（NP0）
　　封装尺寸：1812（4532 公制）
　　温度系数：0 ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C

THCS30E1E225MTF 采用 C0G（NP0）介质材料，这使得其在各种工作温度下具有优异的电容稳定性。C0G 材料的温度系数为 0 ppm/°C，意味着其电容值几乎不会随温度变化而变化，非常适合用于需要高稳定性的电路中，如射频（RF）电路和精密滤波器。
　　该电容器的容差非常小，仅为 ±0.5pF，适用于对电容值要求非常精确的场合。此外，其额定电压为 50V DC，在额定工作电压下能够稳定运行，不会出现击穿或漏电流增大的问题。
　　采用 1812（4532 公制）封装尺寸，这种尺寸在保证较高电容值的同时，也提供了较好的机械强度，适合用于需要较高可靠性的工业设备和通信设备中。
　　THCS30E1E225MTF 还具有良好的焊接性和耐热性，符合 RoHS 指令要求，适用于无铅回流焊工艺。其结构设计确保在高温和湿度环境下也能保持稳定的电气性能。

THCS30E1E225MTF 主要用于需要高稳定性和高精度的电路中。典型应用包括射频（RF）电路、振荡器、滤波器和调谐电路等。在无线通信设备中，该电容器可以用于天线匹配网络和频率合成器，以确保信号的稳定传输。
　　在工业自动化设备中，THCS30E1E225MTF 可用于精密模拟电路和高速数字电路中，提供稳定的电容支持。由于其优异的温度稳定性和容差控制，该电容器也被广泛应用于测试和测量设备中，如频谱分析仪和信号发生器。
　　此外，该电容器还可以用于医疗电子设备、汽车电子系统和航空航天电子设备中，确保这些关键领域中的电路运行稳定可靠。

GRM32ER71H225KA12L; C1210C225K5RACTU