容值：6.8 pF
　　容差：±2%
　　额定电压：50V
　　温度系数：C0G（NP0）
　　封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C

THCR70E2A685MT 电容器采用 C0G（NP0）温度系数陶瓷材料，具有极低的温度漂移，确保在不同温度条件下电容值的稳定性。这种特性使其非常适合用于高精度和高稳定性的电路，例如振荡器、滤波器和射频电路。
　　此外，该电容器的封装尺寸为 0402（1.0mm x 0.5mm），体积小巧，适合高密度 PCB 设计。其多层陶瓷结构提供了较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而提高了高频性能和信号完整性。
　　THCR70E2A685MT 的容差为 ±2%，确保了在精密电路中的可靠性和一致性。额定电压为 50V，可以满足大多数中高压应用的需求，同时具有良好的耐久性和可靠性。

THCR70E2A685MT 电容器广泛应用于射频（RF）电路、通信设备、工业控制系统、汽车电子以及消费类电子产品中。由于其优异的温度稳定性和高频性能，它特别适合用于滤波器、振荡器、匹配网络和旁路电路等关键部分。
　　在无线通信系统中，该电容器可用于调谐电路和射频前端模块，以提高信号质量和稳定性。在汽车电子领域，它可以用于发动机控制单元、车载娱乐系统和传感器接口电路，确保在恶劣环境下的可靠运行。
　　此外，THCR70E2A685MT 还常用于精密模拟电路和数字电路中的去耦和旁路应用，帮助减少电源噪声和提高电路的稳定性。

GRM1552C1H680JA01D, C1005C0G1H680J050BA, GRT1552C1E680FA01D