电容值：47,000 pF (47 nF)
　　容差：±2%
　　额定电压：25V
　　温度系数：C0G (NP0)
　　封装类型：2012 (公制)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥10,000 MΩ
　　最大纹波电流：根据应用条件而定

THCR20E2A473ZT的主要特性包括高精度、低温度系数和优异的长期稳定性。由于采用了C0G (NP0)温度系数陶瓷介质，该电容器在宽温度范围内具有极低的电容变化（通常为±30 ppm/°C）。这种特性使其非常适合用于高精度滤波器、振荡器和定时电路等应用，其中电容值的稳定性至关重要。
　　此外，THCR20E2A473ZT具有优异的频率响应特性，在高频范围内仍能保持稳定的电容值，适用于去耦和旁路应用。该电容器的介质材料具有低损耗特性（低ESR和低ESL），有助于减少电路中的噪声和干扰，提高系统性能。
　　THCR20E2A473ZT采用表面贴装封装，适用于自动化生产流程，并能承受较高的焊接热应力。该电容器符合RoHS标准，无铅且环保，适用于现代电子制造要求。

THCR20E2A473ZT广泛应用于需要高精度和稳定性的电子系统中。在通信设备中，该电容器可用于射频滤波器、振荡器和信号调理电路，以确保信号的稳定性和准确性。在工业控制设备中，THCR20E2A473ZT适用于高精度传感器接口电路和定时电路，有助于提高测量精度和系统稳定性。
　　该电容器还常用于医疗电子设备，如心电图机和血糖仪，用于确保信号采集的准确性。在消费电子产品中，THCR20E2A473ZT可用于音频电路和电源去耦，以减少噪声并提高音质或系统稳定性。此外，在汽车电子系统中，该电容器可用于发动机控制单元（ECU）和车载通信模块，以确保在极端温度条件下的可靠运行。

TDK C0805C473K5RACTU
　　Kemet C0805C473KRACTU
　　Vishay VJ0805Y473KXAC
　　Yageo CC0805KRX7R9BB473