类型：NAND闪存
　　容量：8GB
　　接口：ONFI 4.0兼容
　　电压：1.8V / 3.3V双电压供电
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C

TH58TFG7DDLTA0D NAND闪存芯片具有多项显著特性，首先是其高达8GB的大容量存储能力，能够满足现代电子设备对海量数据存储的需求。该芯片支持ONFI 4.0标准接口，提供了高达400MB/s的读写速度，大大提高了数据传输效率。
　　此外，TH58TFG7DDLTA0D采用低功耗设计，在保证高性能的同时，降低了整体系统能耗，适合对功耗敏感的应用场景。其支持1.8V和3.3V两种电压模式，具有良好的兼容性，可以在不同电源条件下稳定运行。
　　该芯片还具备高可靠性和耐用性，支持高达10万次的编程/擦除周期（P/E cycles），适用于需要频繁读写的应用场景。内置的错误校正码（ECC）功能进一步增强了数据存储的可靠性，减少了数据丢失的风险。
　　在封装方面，TH58TFG7DDLTA0D采用TSOP封装，便于焊接和安装，适合在工业级环境中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在各种恶劣环境条件下仍能稳定运行。

TH58TFG7DDLTA0D广泛应用于多种需要高性能、大容量非易失性存储的场合。例如，它常用于工业计算机、嵌入式系统、网络设备、安防监控设备、车载信息娱乐系统等。此外，该芯片也适用于消费电子产品，如智能电视、机顶盒、数码相机和便携式媒体播放器等。
　　由于其高可靠性和宽温工作范围，TH58TFG7DDLTA0D也非常适合用于工业自动化控制系统和车载导航系统。在这些应用中，芯片需要在高温、低温或振动环境下保持稳定运行，TH58TFG7DDLTA0D的优异性能使其成为理想选择。

K9WAG08U1A-PIB0, S34ML08G200TFI00