类型：HEMT 功率晶体管
　　工作频率：1.2 GHz - 1.4 GHz
　　输出功率：250 W（典型值）
　　增益：14 dB（典型值）
　　效率：45%（典型值）
　　漏极电压：28 V
　　封装类型：表面贴装（Surface Mount）
　　热阻：0.15°C/W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

TGF2979-SM 是一款高性能射频功率晶体管，具备多项突出的技术特性。该器件采用 GaAs（砷化镓）材料和 HEMT（高电子迁移率晶体管）技术制造，具备高电子迁移率和优异的高频特性，使其在 L 波段至 S 波段范围内具有出色的性能表现。该晶体管的工作频率范围为 1.2 GHz 至 1.4 GHz，能够满足多种无线通信和雷达系统的需求。
　　TGF2979-SM 的典型输出功率为 250 W，增益为 14 dB，漏极电压为 28 V，适用于需要高功率放大的应用场合。其典型的漏极效率达到 45%，有助于降低功耗并提高系统效率。该器件采用表面贴装封装，便于在高密度 PCB 设计中使用，同时具备良好的散热性能，热阻仅为 0.15°C/W，确保在高功率运行时仍能保持稳定的温度控制。
　　此外，TGF2979-SM 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应各种严苛的环境条件，具备良好的可靠性和耐久性。其封装设计和材料选择符合工业标准，适合用于航空航天、军事雷达、商业通信设备以及测试与测量仪器等高要求应用领域。

TGF2979-SM 广泛应用于需要高功率和高频率性能的射频系统中。常见的应用包括军用雷达发射机、卫星通信系统、地面无线通信基站、射频测试设备以及宽带放大器等。其高输出功率和高效率特性使其成为需要高线性度和稳定性的射频功率放大器的理想选择。此外，该器件也可用于工业和医疗设备中的射频能量传输系统，满足对高可靠性与高稳定性要求的应用场景。

TGF2978-SM, TGF2980-SM