时间：2025/8/16 17:23:15
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CESD12VD7 8K/R 是由 Central Semiconductor 生产的一款双路双向 TVS（瞬态电压抑制）二极管阵列，专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和浪涌电压等瞬态电压的损害而设计。该器件采用小型 SOT-23 封装，具有低电容特性，非常适合用于高速数据线路的保护，如 USB、HDMI、以太网和其它通信接口。
类型：TVS 二极管阵列
配置：双路双向保护
反向击穿电压（VBR）：12.5V（最小）
反向工作电压（VRWM）：12V
钳位电压（VC）：19.9V（在 Ipp = 1A 时）
最大峰值脉冲电流（Ipp）：1A
最大反向漏电流（IR）：0.1μA（典型值）
电容（C）：2pF（典型值，1MHz）
封装：SOT-23
CESD12VD7 8K/R 采用双路双向配置，能够在单个封装中为两条信号线提供对地和对电源的瞬态电压保护。该器件的钳位响应时间极短，通常在皮秒级别，确保在瞬态事件发生时能够迅速将过电压钳制在安全范围内，防止损坏下游电路。
其低反向漏电流特性（典型值为 0.1μA）可确保在正常工作条件下对系统功耗的影响极小。此外，该器件的电容值仅为 2pF，非常适用于高速信号线路，不会对信号完整性造成显著影响。
该器件符合 RoHS 标准，并通过了 IEC 61000-4-2 Level 4 的 ESD 保护认证，确保在极端静电环境下仍能提供可靠的保护性能。
CESD12VD7 8K/R 主要用于便携式电子设备、通信接口、USB 端口、HDMI 接口、以太网端口、消费类电子产品和工业控制系统的 ESD 保护。由于其低电容和双向保护特性，它特别适用于需要高速信号传输且对信号完整性要求较高的应用场合。
NXP Semiconductors 的 PESD24V2BT; STMicroelectronics 的 ESDA6V1W5B; ON Semiconductor 的 NUP2105L
