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CUS02(TE85L,Q) 发布时间 时间:2025/5/12 13:51:49 查看 阅读:27

CUS02(TE85L,Q)是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够有效提高系统的效率和可靠性。
  这款器件采用了先进的半导体制造工艺,确保其在高频开关应用中的出色表现。同时,它具备强大的过流保护能力和抗静电能力,适用于各种严苛的工作环境。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关频率:500kHz
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用。
  3. 强大的电流承载能力,适合大功率应用场景。
  4. 内置过流保护功能,增强系统的可靠性和安全性。
  5. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持优异性能。
  6. 小型化封装设计,便于PCB布局和散热管理。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主功率开关。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)的核心组件。
  4. 汽车电子系统中的负载切换和控制。
  5. 工业自动化设备中的功率转换模块。

替代型号

IRFZ44N, STP30NF06, FDP027N06L

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CUS02(TE85L,Q)参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)30V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)470mV @ 1A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100µA @ 30V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-76,SOD-323
  • 供应商设备封装US-FLAT(1.25x2.5)
  • 包装带卷 (TR)