工作频率：最高可达 6 GHz
　　输出功率：48 W（典型值）
　　漏极效率：>70%
　　增益：>20 dB
　　工作电压：28 V
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　热阻：RθJC < 1.5°C/W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

TGF2022-48 具有多个显著特性，首先是其基于 GaN-on-SiC 技术的结构，使其在高频率下仍能保持良好的性能。GaN 材料具有高电子迁移率和高击穿电场，这使得器件可以在更高的电压下运行，并提供更高的输出功率密度。此外，TGF2022-48 的高漏极效率（>70%）使其在工作时消耗更少的电能并减少散热需求，从而提高了整体系统的能源效率。
　　该器件采用了表面贴装（SMT）封装，便于自动化装配并减少 PCB 上的空间占用。同时，TGF2022-48 还具有较低的热阻（RθJC < 1.5°C/W），有助于快速将热量从芯片传导至散热器，从而延长器件的使用寿命并提高可靠性。
　　另一个重要特性是其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），这使得 TGF2022-48 可在极端环境条件下稳定运行，适用于军事、航空航天、通信基站等对环境适应性要求较高的场合。

TGF2022-48 主要用于高性能射频功率放大器的设计，广泛应用于无线通信基础设施（如 4G/5G 基站）、雷达系统、测试设备、工业加热设备以及卫星通信等领域。其高功率密度和高效率特性使其成为替代传统 LDMOS 晶体管的理想选择，特别是在需要高频率和高线性度的应用中。
　　在军事和航空航天应用中，TGF2022-48 可用于相控阵雷达、战术通信设备和电子战系统。在民用通信领域，该器件可支持宽带无线接入、点对点微波通信以及数字广播系统等。此外，由于其良好的热稳定性和高可靠性，TGF2022-48 也适用于需要长时间连续运行的工业和医疗射频设备。

TGF2023-48, TGF2021-48, CGH40048