时间：2025/6/6 17:05:30
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GA1206Y473KXJBR31G 是一款高性能的钽电容器，属于 GA 系列。该系列电容器以其高可靠性和稳定性著称，广泛应用于各种电子电路中。它采用固体电解质技术，具有低等效串联电阻（ESR）和高频特性良好的特点。此型号特别适用于需要高稳定性和小尺寸设计的应用场景。
容量：4.7μF
额定电压：6.3V
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
封装类型：芯片
外形尺寸：3216 (公制)
等效串联电阻（ESR）：最大0.15Ω
漏电流：最大0.01mA
耐焊性：符合行业标准
绝缘电阻：≥1000MΩ
GA1206Y473KXJBR31G 的主要特性包括以下几点：
1. 使用先进的固体钽技术制造，确保了其在高频应用中的卓越表现。
2. 具有非常低的等效串联电阻（ESR），这使得它可以有效减少能量损耗并提高电路效率。
3. 它的工作温度范围非常广，从 -55℃ 到 +125℃，适合极端环境下的使用。
4. 高可靠性设计使其能够在长时间运行后仍保持性能稳定。
5. 小巧的外形尺寸为设计者提供了更大的灵活性，尤其是在空间有限的情况下。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
该电容器适用于多种电子设备中的滤波、耦合和去耦用途。具体来说，它常用于以下领域：
1. 移动通信设备中的电源管理模块。
2. 计算机及其外围设备的主板和显卡上。
3. 工业自动化控制系统的信号调理电路。
4. 汽车电子系统中的噪声抑制电路。
5. 医疗设备中的精密仪器电路。
6. 军用和航天领域的高可靠性电路设计。
GA1206Y473KXJBR21G, GA1206Y473KXJBR41G
