类型：GaAs FET
　　频率范围：DC - 18 GHz
　　增益：> 20 dB @ 14 GHz
　　噪声系数：< 2.5 dB @ 14 GHz
　　输出功率：24 dBm @ 14 GHz
　　漏极电流：50 mA @ Vds = 3.5V
　　工作电压：3.5V
　　封装形式：6 引脚 SMT
　　输入/输出阻抗：50Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C

TGF2022-06 是一款高性能 GaAs FET，专为高频与微波频段应用而设计。该器件在 14 GHz 频率下可提供超过 20 dB 的增益，同时保持低于 2.5 dB 的噪声系数，使其成为低噪声放大器（LNA）的理想选择。其高线性输出功率可达 24 dBm，在高频率下仍能保持良好的放大性能，适用于需要高动态范围的系统。
　　该器件采用先进的 GaAs 技术制造，具有出色的热稳定性和高频响应能力。其 6 引脚表面贴装封装设计不仅便于自动化装配，还优化了热管理性能，有助于在高功率运行时保持良好的散热能力。此外，TGF2022-06 在 3.5V 电压下仅消耗 50 mA 的漏极电流，展现出良好的能效表现，适用于电池供电设备和低功耗系统。
　　TGF2022-06 的输入和输出阻抗为 50Ω，与大多数射频系统兼容，减少了外部匹配网络的复杂性。其工作温度范围为 -55°C 至 +125°C，适用于工业级和军事级应用环境。该器件经过严格测试，确保在极端温度和工作条件下仍能保持稳定性能。

TGF2022-06 主要应用于微波通信系统、测试与测量设备、雷达系统、无线基础设施以及卫星通信设备中的低噪声放大和中功率放大环节。其高增益、低噪声和高线性特性使其在毫米波通信和高频率 RF 系统中表现出色。该器件也常用于点对点微波链路、电子战系统、航空航天电子设备以及高端射频模块设计中。由于其紧凑的封装形式和优异的电气性能，TGF2022-06 特别适合需要在有限空间内实现高性能射频放大的应用场合。

TGF2022-09, TGF2022-12, ATF-54143, HMC414