时间：2025/6/22 15:32:32
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UMK063CG5R3DTHF是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率电力转换系统中。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低系统的能量损耗。
该芯片封装为TO-252（DPAK），具有良好的散热性能，适合紧凑型设计需求。此外，其具备高雪崩耐量能力，确保在异常条件下也能安全运行。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
栅极电荷(Qg)：37nC
输入电容(Ciss)：1980pF
总功耗(Ptot)：31W
工作温度范围(Ta)：-55℃ to +175℃
UMK063CG5R3DTHF的主要特点是低导通电阻和高效率。具体表现为：
1. 极低的导通电阻（3.5mΩ），减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频应用，降低开关损耗。
3. 高雪崩击穿能力和强鲁棒性，增强器件在恶劣环境下的可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
5. 采用小型化表面贴装封装，便于自动化生产与集成。
这些特性使其成为高密度功率转换应用的理想选择。
该型号主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电机驱动控制，如家用电器中的直流无刷电机(BLDC)。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换设备。
4. LED驱动电路。
5. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
由于其出色的电气特性和可靠性，适用于需要高效功率转换的场合。
UMK063CG5R3DTKF, UMK063CG5R3DRLF
