UMK063CG5R3DTHF是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率电力转换系统中。该器件采用先进的沟槽式工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低系统的能量损耗。
该芯片封装为TO-252(DPAK),具有良好的散热性能,适合紧凑型设计需求。此外,其具备高雪崩耐量能力,确保在异常条件下也能安全运行。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):14A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
栅极电荷(Qg):37nC
输入电容(Ciss):1980pF
总功耗(Ptot):31W
工作温度范围(Ta):-55℃ to +175℃
UMK063CG5R3DTHF的主要特点是低导通电阻和高效率。具体表现为:
1. 极低的导通电阻(3.5mΩ),减少传导损耗,提升系统效率。
2. 快速开关速度,支持高频应用,降低开关损耗。
3. 高雪崩击穿能力和强鲁棒性,增强器件在恶劣环境下的可靠性。
4. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
5. 采用小型化表面贴装封装,便于自动化生产与集成。
这些特性使其成为高密度功率转换应用的理想选择。
该型号主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电机驱动控制,如家用电器中的直流无刷电机(BLDC)。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换设备。
4. LED驱动电路。
5. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
由于其出色的电气特性和可靠性,适用于需要高效功率转换的场合。
UMK063CG5R3DTKF, UMK063CG5R3DRLF