类型：射频功率放大器
　　工艺技术：GaAs（砷化镓）
　　工作频率：2.3 GHz至2.7 GHz
　　输出功率：典型值为30 dBm（1 W）
　　增益：约25 dB
　　电源电压：+28 V
　　封装类型：表面贴装（SMT），6引脚塑封封装
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

TGF2018的主要特性之一是其在2.3 GHz至2.7 GHz频率范围内的宽带操作能力，使其适用于多种无线通信标准，包括LTE、WiMAX和微波通信。该器件采用高电子迁移率晶体管（HEMT）技术制造，能够在高频率下提供稳定的性能和高功率效率。此外，TGF2018具备良好的热稳定性和较高的可靠性，适合在严苛的工业环境中运行。该放大器的高线性度确保了在调制信号传输中的低失真，有助于提高系统的整体信号质量。此外，其紧凑的6引脚SMT封装便于集成到现代通信设备中，并有助于减少PCB面积占用，同时支持表面贴装工艺，提高制造效率。内置的热保护功能进一步增强了其长期运行的稳定性。
　　另一个显著特点是其在+28 V电源电压下的高效能表现，这使得TGF2018能够提供高达1 W的输出功率，并在高增益条件下保持良好的能效。这种高功率输出和高增益的结合，使其成为基站、无线接入点和远距离通信设备中的理想选择。

TGF2018广泛应用于需要高线性度和高输出功率的无线通信系统中。它特别适用于基站放大器、WiMAX和LTE基础设施设备、无线回传系统以及工业级射频模块。此外，该器件也常用于测试设备、通信实验平台和微波通信系统，以提供可靠的射频放大功能。由于其宽带特性，TGF2018可以支持多种调制格式，如QAM、OFDM等，使其在高数据速率传输系统中表现优异。同时，其紧凑的封装和表面贴装设计也使其适合用于高密度射频电路板的开发。

TGF2023, TGF2028, TGA4518