FGW75N65W 时间：2025/12/29 16:57:21 阅读：11

FGW75N65W是一款由富士电机（Fuji Electric）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高电流应用而设计。该器件具有较高的开关速度和较低的导通电阻，适用于电源转换器、电机控制、逆变器以及其他需要高效能功率开关的系统中。FGW75N65W采用TO-247封装，便于散热和安装，适用于各种工业和消费类电子设备。

参数

类型：功率MOSFET
　　封装：TO-247
　　Vds（漏-源极击穿电压）：650V
　　Vgs（栅-源极电压）：±20V
　　Id（最大连续漏极电流）：75A
　　Rds(on)（导通电阻）：典型值为0.017Ω
　　功率耗散（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

FGW75N65W具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其650V的漏-源极击穿电压允许其在高电压环境下稳定运行，适用于工业电源和逆变器等应用。其次，低导通电阻（Rds(on)）仅为0.017Ω，减少了导通损耗，提高了整体能效。此外，该器件具有较高的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下持续工作而不影响性能。
　　FGW75N65W的TO-247封装设计不仅提供了良好的散热性能，还方便用户进行安装和焊接。该封装形式广泛应用于各种功率电子设备中，确保了良好的兼容性和可靠性。此外，该MOSFET具有快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、PWM控制器等。
　　从可靠性角度看，FGW75N65W采用了先进的硅工艺和封装技术，具备较高的抗浪涌电流能力和短路耐受能力，适合在严苛的工作环境中使用。同时，该器件的栅极驱动要求较低，简化了驱动电路的设计，降低了系统复杂度和成本。

应用

FGW75N65W广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、工业自动化设备、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、DC-DC转换器以及太阳能逆变器等。在电动汽车和充电桩系统中，该器件也可用于功率转换模块，以实现高效的能量管理。此外，FGW75N65W还可用于消费类电子产品中的高功率电源适配器、智能家电的电机控制单元等场景。