类型：MOSFET驱动器
　　通道类型：N沟道
　　最大电源电压：18V
　　最小电源电压：4.5V
　　最大输出电流：2A
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：TO-220
　　引脚数：7
　　栅极驱动电压范围：4.5V ~ 20V
　　工作温度范围：-40°C ~ 125°C

IXTQ200N10T 具备多项高性能特性，适用于高要求的功率电子应用。
　　首先，该 IC 采用了高压 IC 技术，使其能够在高达 100V 的电压下稳定工作，非常适合用于高电压功率转换系统。其内置的高侧和低侧驱动器能够提供高达 2A 的峰值输出电流，确保功率 MOSFET 或 IGBT 的快速开关，从而减少开关损耗并提高系统效率。
　　其次，IXTQ200N10T 集成了多种保护功能，包括欠压锁定（UVLO）、过热保护（OTP）和交叉传导保护，防止在异常工作条件下损坏驱动器或功率器件。这不仅提升了系统的可靠性，还简化了外围电路设计。
　　此外，该驱动器 IC 采用了 TO-220 封装，具有良好的散热性能，能够承受较高的功耗而不导致过热失效。其输入逻辑兼容 TTL 和 CMOS 电平，便于与各种控制电路（如微控制器、DSP 或 FPGA）连接。
　　最后，IXTQ200N10T 的传播延迟时间较短且匹配性好，确保上下桥臂的驱动信号具有良好的同步性，从而减少死区时间并提高系统响应速度。这些特性使其非常适合用于半桥、全桥或同步整流拓扑结构中。

IXTQ200N10T 被广泛应用于各种高功率电子系统中，包括工业自动化设备、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、DC-DC 转换器、太阳能逆变器、电动车充电系统以及功率因数校正（PFC）电路等。
　　在电机控制应用中，该 IC 可用于驱动 H 桥结构，实现对直流或无刷电机的高效控制；在电源转换系统中，IXTQ200N10T 可用于同步整流和功率 MOSFET 的驱动，提升电源转换效率；在工业逆变器和变频器中，该器件可用于驱动高压 IGBT 或 MOSFET，实现交流电机的变频控制。
　　此外，该 IC 也适用于各种需要高压、高电流驱动能力的开关电源应用，如高压 LED 驱动、电池管理系统和储能系统等。

IXTQ200N10TA2, IXTQ200N10L2, IXTQ200N10P2