TGC4405-SM 是一款由 Analog Devices(亚德诺半导体)公司推出的 GaAs(砷化镓)MMIC(单片微波集成电路)功率放大器芯片,专为高性能无线通信系统设计。该器件工作频率范围广泛,适用于2GHz至6GHz之间的多种射频(RF)应用。TGC4405-SM 采用紧凑的表面贴装封装形式,具有高线性度、高增益和高输出功率的特点,适合用于需要高可靠性和稳定性的射频系统中。
工作频率:2 GHz 至 6 GHz
小信号增益:20 dB(典型值)
输出功率(P1dB):27 dBm(典型值)
电源电压:+5V
电流消耗:320 mA(典型值)
封装类型:5 mm × 5 mm QFN(表面贴装)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
输入/输出匹配:50Ω(内部匹配)
线性度:优异的三阶交调截点(OIP3)性能
封装尺寸:5mm × 5mm
TGC4405-SM 以其卓越的射频性能和紧凑的封装设计,成为多种无线通信应用中的理想选择。该功率放大器采用 GaAs 工艺制造,具备高电子迁移率和良好的高频特性,能够在 2GHz 至 6GHz 的宽频段范围内稳定工作。
其小信号增益典型值为 20 dB,能够有效放大射频信号而不引入显著的失真。输出功率在 1dB 压缩点(P1dB)时可达 27 dBm,适用于需要中等功率输出的应用场景。此外,TGC4405-SM 的 OIP3(三阶交调截点)性能优异,确保在高信号密度环境中仍能保持良好的线性度,减少信号干扰和失真。
该器件的工作电压为 +5V,典型电流消耗为 320 mA,功耗较低,适用于电池供电或功耗敏感的系统设计。TGC4405-SM 采用 5mm × 5mm QFN 表面贴装封装,便于集成到现代高频 PCB 设计中,并支持自动化装配流程。其内部已实现输入和输出 50Ω 阻抗匹配,简化了外围电路的设计,降低了系统复杂度。
该芯片的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,符合工业级温度要求,可在各种恶劣环境下稳定运行。TGC4405-SM 的高可靠性和稳定性使其成为无线基础设施、微波通信、测试设备、Wi-Fi 6E 和 5G 毫米波通信系统等应用中的优选组件。
TGC4405-SM 广泛应用于各种高性能射频系统中。其主要应用包括无线基站、微波通信系统、频谱分析仪、信号发生器、Wi-Fi 6E 接入点、5G 毫米波通信设备、雷达系统、测试与测量仪器以及工业控制系统等。由于其高线性度和宽频带特性,TGC4405-SM 特别适用于需要高精度和高稳定性的射频信号放大任务,如在多频段通信系统中作为驱动放大器或中功率放大器使用。此外,该器件也适用于需要紧凑封装和高集成度的便携式射频设备,例如手持式频谱分析仪或无线监测设备。
HMC414, ADL5542, TGC4401-SM