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TGAG8659-FL 发布时间 时间:2025/8/15 18:50:09 查看 阅读:14

TGAG8659-FL是一款用于射频功率放大的晶体管芯片,适用于高频率、高功率的应用场景。该器件采用先进的半导体技术制造,具有出色的性能和可靠性,广泛应用于通信、雷达、测试设备等领域。TGAG8659-FL采用紧凑的封装形式,便于在高频电路中集成,并提供优异的线性度和效率。

参数

类型:射频功率晶体管
  工作频率范围:2 GHz - 6 GHz
  输出功率:典型值为30 W(在2.14 GHz下)
  增益:20 dB(典型值)
  效率:60%(典型值)
  漏极电压(Vds):65 V
  栅极电压(Vgs):-2.5 V至0 V
  封装形式:表面贴装(SMT)
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

TGAG8659-FL是一款高性能射频功率晶体管,专为高频率和高功率应用而设计。其工作频率范围覆盖2 GHz到6 GHz,使其适用于多种无线通信系统和雷达应用。该器件的输出功率可达30 W,在2.14 GHz下的典型值表现出卓越的功率放大性能。其高增益特性(20 dB)有助于减少前置放大器的需求,从而简化整体系统设计。TGAG8659-FL具有较高的效率(60%),有助于降低功耗和热量产生,提高系统的整体能效。
  该晶体管采用表面贴装封装形式,便于在现代高频电路板上安装,并具有良好的热管理和散热性能,确保在高功率操作下的稳定性。其宽广的工作温度范围(-55°C至+150°C)使得该器件能够在恶劣环境下可靠运行。此外,TGAG8659-FL具备良好的线性度,使其在需要高质量信号放大的应用中表现出色,如4G/5G基站、测试测量设备和军事通信系统。

应用

TGAG8659-FL广泛应用于射频功率放大器的设计中,特别适合用于无线通信基础设施,如4G/5G基站、WiMAX系统、雷达发射器、测试与测量设备以及工业控制系统。其高功率处理能力和宽频带特性使其成为多种高频率应用场景的理想选择。

替代型号

TGAG8659-FL的替代型号包括TGF2823-SM和TGA4514-SM,这些器件在性能和封装上具有相似的特性,适用于类似的射频功率放大应用。

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