TGA8658-SG 时间：2025/8/16 0:59:05 阅读：23

TGA8658-SG 是一款由美国公司 TriQuint（现为 Qorvo）制造的 GaAs（砷化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT）射频场效应晶体管（RF FET）。该器件专门设计用于高性能射频和微波应用，如通信系统、测试设备和工业控制系统。TGA8658-SG 提供高增益、低噪声系数以及优异的线性度，使其成为 L 波段至 S 波段应用的理想选择。该晶体管采用表面贴装封装（SOT-89），便于集成到高频电路中。

参数

类型：GaAs HEMT RF FET
　　封装：SOT-89
　　频率范围：DC 至 6 GHz
　　增益：典型值 18 dB（在 2 GHz）
　　噪声系数：典型值 0.45 dB（在 2 GHz）
　　输出功率：典型值 100 mA 漏极电流
　　工作电压：+3.3 V 至 +5 V
　　输入/输出阻抗：50 Ω 匹配
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

TGA8658-SG 是一款高性能 GaAs HEMT 器件，具有出色的射频特性。该晶体管采用了先进的 HEMT 技术，具有高载流子迁移率和低寄生电容，从而实现了低噪声和高增益。其典型噪声系数仅为 0.45 dB，在 2 GHz 频率下表现出卓越的信号接收能力，适用于高灵敏度接收器前端设计。
　　该器件在宽频率范围内（DC 至 6 GHz）保持稳定的性能，适合 L 波段、S 波段等应用，如 GPS 接收器、无线基础设施、测试测量设备和宽带放大器设计。其高增益特性（典型值 18 dB）减少了后续放大级的需求，有助于简化系统设计并降低功耗。
　　TGA8658-SG 采用 50 Ω 输入/输出阻抗匹配设计，可直接集成到射频系统中，无需额外的阻抗匹配电路，从而节省电路板空间并降低设计复杂度。该晶体管的工作电压范围为 +3.3 V 至 +5 V，支持多种电源配置，具有良好的电源适应性和稳定性。
　　此外，TGA8658-SG 具有良好的线性度和动态范围，能够在低功耗条件下提供优异的信号完整性。其封装形式为 SOT-89，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和高频电路布局。该器件的宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C）也使其适用于工业级和汽车级应用。

应用

TGA8658-SG 主要用于需要低噪声和高增益的射频前端应用。其典型应用包括无线通信系统中的低噪声放大器（LNA）、测试测量设备中的前置放大器、GPS 和卫星通信接收器中的信号增强模块，以及各种宽带射频放大器的设计。此外，该器件也适用于雷达系统、医疗成像设备和射频识别（RFID）系统中的信号处理模块。由于其出色的线性度和稳定性，TGA8658-SG 也常用于发射和接收双工系统中的前置放大器设计。