TGA8310-SCC 是一款由 Qorvo 公司生产的 GaAs(砷化镓)高电子迁移率晶体管(HEMT)射频功率放大器芯片,专为高性能射频和微波应用设计。该器件采用了先进的 GaAs 工艺,能够在高频段提供高效、稳定的功率放大功能。TGA8310-SCC 采用紧凑的表面贴装封装(SCC 封装),适用于各种无线通信、雷达系统和测试设备。
频率范围:18 - 40 GHz
增益:24 dB @ 30 GHz
输出功率(P3dB):26 dBm @ 30 GHz
工作电压:10V
静态电流:120 mA
封装类型:SCC(6 引脚)
工作温度范围:-55°C 至 +85°C
TGA8310-SCC 的核心特性之一是其宽频率覆盖能力,可在 18 GHz 至 40 GHz 的高频范围内提供稳定的性能。这使其非常适合用于毫米波通信系统和微波链路应用。
该器件具有高增益特性,典型增益在 30 GHz 下可达 24 dB,确保了在高频率下仍能提供足够的信号放大能力。同时,其输出功率在 30 GHz 下可达到 26 dBm(P3dB),支持高线性度的信号放大需求。
采用 GaAs HEMT 工艺,TGA8310-SCC 在高频下仍能保持良好的效率和稳定性。其高电子迁移率特性有助于降低高频信号传输中的失真,从而提高整体系统性能。
此外,TGA8310-SCC 采用 SCC 表面贴装封装,便于在高密度 PCB 设计中使用。该封装形式还具有良好的热性能,支持在苛刻环境下稳定运行。器件的工作温度范围为 -55°C 至 +85°C,适用于工业级和军事级应用场合。
该放大器芯片还具有较低的功耗特性,工作电压为 10V,静态电流仅为 120 mA,有助于延长设备的使用寿命并降低功耗。
TGA8310-SCC 主要应用于高频通信系统,如点对点微波通信、毫米波雷达、测试与测量设备、卫星通信系统以及军用通信设备。由于其高频段操作能力和高增益特性,该器件也常用于 5G 前传和回传系统中的射频前端模块。
在测试设备中,TGA8310-SCC 可用于信号放大器或驱动器,以提高测试精度和信号完整性。在雷达系统中,该器件可用于发射链路中的中功率放大阶段,提供稳定的高频率信号输出。
在卫星通信领域,TGA8310-SCC 可用于 Ku 波段和 Ka 波段的发射模块,支持高速数据传输和低延迟通信需求。其紧凑的封装形式也使其适用于空间受限的嵌入式系统设计。
此外,该器件还可用于各种宽带放大器设计,支持从 18 GHz 到 40 GHz 的宽频带应用,满足未来高频通信技术的发展需求。
HMC8191, TGA4542-SL