工作频率范围：1.2 GHz 至 1.4 GHz
　　输出功率：典型值 75 W（连续波）
　　漏极效率：典型值 65%
　　增益：典型值 14 dB
　　工作电压：Vds = 28 V
　　输入驻波比（VSWR）：< 2.5:1
　　漏极电流（Idq）：典型值 150 mA
　　封装类型：12 引脚表面贴装陶瓷封装（SMT）
　　热阻（Rth）：约 1.25°C/W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

TGA4959-SL 是一款基于 GaN 技术的高性能射频功率晶体管，具有出色的功率处理能力和高效率。其主要特性之一是能够在 1.2 GHz 至 1.4 GHz 频率范围内提供高达 75 W 的连续波输出功率，适用于 L 波段和 S 波段的多种应用，如雷达系统、无线基础设施和宽带通信设备。
　　这款晶体管采用 Qorvo 的 GaN on SiC（氮化镓在碳化硅上）工艺制造，提供了优异的热性能和可靠性。其高漏极效率（65% 典型值）有助于减少功耗和散热需求，从而提高整体系统效率。此外，该器件具有 14 dB 的典型增益，能够在单级放大器设计中实现较高的功率输出，减少了对外部驱动级的需求。
　　TGA4959-SL 采用 12 引脚表面贴装陶瓷封装，具有良好的热管理和机械稳定性，适合在高振动和高温环境中使用。其热阻约为 1.25°C/W，能够有效地将热量传导到 PCB 板或散热器上，确保长时间稳定运行。器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，使其适用于各种苛刻的工业和军事环境。
　　该晶体管还具备良好的匹配特性，输入驻波比低于 2.5:1，减少了对外部匹配网络的复杂性要求，提高了设计灵活性。同时，其高线性度和低失真特性使其适用于需要高信号保真度的通信和测试设备应用。

TGA4959-SL 主要用于 L 波段至 S 波段的射频功率放大器设计，广泛应用于雷达系统、航空电子设备、卫星通信、无线基础设施（如 WiMAX 和 LTE 基站）、测试与测量设备以及工业控制系统。该器件的高功率密度和高效率特性使其成为需要高输出功率和高可靠性的应用的理想选择。

TGF2959-SM, TGA4559-SL, TGA4960-SL