TGA4517 是一款由 TriQuint Semiconductor(现为 Qorvo)制造的高功率 GaN(氮化镓)射频(RF)晶体管,主要用于高功率放大器应用。该器件采用了先进的 GaN 技术,具有高效率、高增益和出色的热性能,适用于通信、雷达和测试设备等领域的高功率 RF 放大需求。
工作频率:2 GHz - 6 GHz
输出功率:170 W(典型值)
增益:>18 dB
效率:>55%
漏极电压:+28 V
输入驻波比(VSWR):<2.5:1
封装类型:螺栓式金属封装
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
TGA4517 采用 GaN 技术,具有优异的功率密度和高效率表现,能够在高频段(2 GHz 至 6 GHz)范围内提供高达 170 W 的输出功率。其高增益特性(>18 dB)使其在多级放大应用中表现出色,减少了前级放大器的设计复杂度。此外,该器件具有良好的热管理能力,能够在高温环境下稳定工作,确保了系统的长期可靠性。
该晶体管的漏极电压为 +28 V,具有较高的输入驻波比(<2.5:1),能够在较宽的频率范围内实现良好的阻抗匹配。TGA4517 还具备出色的抗失配能力,能够在负载变化的情况下保持稳定输出,适用于复杂电磁环境中的高功率放大应用。
由于其高可靠性和高性能,TGA4517 被广泛用于无线基础设施、军事通信、雷达系统以及测试与测量设备中。
TGA4517 主要应用于以下领域:
1. 无线通信基站:用于 4G LTE、5G 及其他宽带通信系统的高功率射频放大器模块。
2. 军事与航空航天:用于雷达、电子战和战术通信系统中的高功率发射模块。
3. 测试与测量设备:用于高功率射频信号源、放大器和频谱分析仪等设备。
4. 工业与广播设备:用于工业加热、等离子体生成、广播发射器等需要高功率 RF 放大的场景。
该器件的宽频带特性和高输出功率使其成为多种高性能射频系统中的关键组件。
TGA4514, TGF2551, TGF2955