MMBZ5245B E9 是一款微型表面贴装(SMD)瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),属于 BZ 系列。该器件专为保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌脉冲和其他过电压瞬变的影响而设计。
这款 TVS 二极管具有快速响应时间、低电容和高箝位能力,使其非常适合用于高速数据线、I/O 端口以及射频电路的保护。其封装形式为 SOD-323,非常紧凑,适合空间受限的应用场景。
最大反向工作电压:4.8V
击穿电压:5.0V
最大箝位电压:7.6V
峰值脉冲电流:18A
反向漏电流:1μA(@ VRWM = 4.8V)
结电容:2.8pF
响应时间:1ps
功耗:500W(峰值脉冲功率)
封装:SOD-323
MMBZ5245B E9 提供了出色的瞬态电压抑制性能,主要特点如下:
1. 快速响应时间(仅 1ps),能够有效抑制瞬态电压威胁。
2. 高度集成的 SOD-323 封装,尺寸小且易于安装,适合现代化小型化设计。
3. 极低的结电容(2.8pF),对高速信号线路影响较小。
4. 击穿电压和箝位电压精准,确保在过压情况下提供可靠的保护。
5. 具备良好的抗静电能力,符合 IEC 61000-4-2 标准的要求。
6. 能承受高达 18A 的峰值脉冲电流,适用于多种苛刻的工作环境。
7. 反向漏电流极低,仅为 1μA,减少静态功耗。
这些特性使得 MMBZ5245B E9 成为通信设备、消费电子产品及工业控制系统的理想保护选择。
MMBZ5245B E9 广泛应用于以下领域和场景:
1. USB、HDMI、以太网等高速数据接口的 ESD 和浪涌保护。
2. 移动设备中的天线端口保护。
3. 工业自动化设备中的传感器信号线保护。
4. 医疗设备中敏感信号的防护。
5. 汽车电子系统中的电源输入保护。
6. 射频模块及无线通信设备中的过压防护。
该器件的高性能和可靠性使其成为许多现代电子产品的关键防护组件。
PESD5V0R1BAB, SMAJ5.0A, SMBJ5.0A