FQP47P06 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高功率密度的电源管理应用,具备低导通电阻和高电流承载能力。FQP47P06 通常采用 TO-220 或 DPAK(表面贴装)封装,适用于需要高可靠性和高性能的工业与消费类电子产品。
类型:P 沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):-60V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):-47A
导通电阻(RDS(on)):约 0.018Ω(典型值,VGS = -10V)
功耗(PD):160W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
FQP47P06 的核心特性包括其低导通电阻,这使得在导通状态下的功率损耗大大降低,从而提高了整体系统效率。
此外,该 MOSFET 具有较高的电流承载能力,能够承受高达 -47A 的连续漏极电流,适用于大功率应用。
它的栅极驱动电压范围为 ±20V,确保在不同工作条件下都能保持稳定。
封装方面,FQP47P06 提供 TO-220 和 DPAK 两种形式,前者适合插件式安装,后者则适用于表面贴装工艺,提升了 PCB 设计的灵活性。
该器件的热阻较低,有助于在高负载情况下有效散热,从而延长器件寿命并提高系统可靠性。
此外,FQP47P06 还具备良好的抗雪崩击穿能力,增强了其在瞬态过压条件下的耐受性,适用于各种苛刻的电气环境。
FQP47P06 主要应用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统(BMS)、逆变器以及 UPS 系统等电力电子领域。
在电源管理系统中,它用于实现高效率的功率转换,例如在服务器电源、电信设备和工业控制系统中作为高边或低边开关使用。
由于其高电流能力和低导通电阻,FQP47P06 也广泛用于电动工具、电动车控制器和电池保护电路中,作为主开关或负载切换元件。
此外,该器件还可用于音频功率放大器中的电源开关和负载保护电路,确保音频系统在各种工作条件下的稳定运行。
IRF9540N, FDB47P06, FDS4717, Si4410BDY