时间：2025/7/11 12:35:58
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QVS107CG750JCHT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率控制的场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著降低功耗并提高系统效率。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，适用于高电流和高电压应用场合，其封装形式支持表面贴装技术（SMD），便于自动化生产和散热管理。
最大漏源电压：750V
连续漏极电流：14A
导通电阻（典型值）：0.07Ω
栅极电荷（典型值）：65nC
输入电容：2000pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-263
QVS107CG750JCHT 的主要特性包括：
1. 高耐压能力：额定漏源电压高达 750V，适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：典型值为 0.07Ω，在高电流下能有效减少导通损耗。
3. 快速开关性能：具备较低的栅极电荷和较小的输入电容，从而实现更快的开关速度。
4. 热稳定性：能在宽温度范围内稳定工作，确保高温条件下的可靠性。
5. 小型化封装：采用 TO-263 封装，提供良好的散热特性和紧凑的设计，适合现代化电子产品的需求。
该芯片的主要应用领域包括：
1. 开关电源（SMPS）：用于高效能量转换，降低功耗。
2. 电机驱动：控制直流或无刷电机的速度与方向。
3. DC-DC 转换器：实现稳定的电压输出，满足不同负载需求。
4. 电池管理系统（BMS）：保护锂电池组免受过充、过放等异常情况的影响。
5. 工业设备：如逆变器、UPS 和其他需要功率控制的场合。
6. 汽车电子：用于车载充电器、LED 照明驱动等领域。
QVS107CG700JCHT, IRF840A, STW17N60M2
