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2SK3933-01SJ 发布时间 时间:2025/8/8 21:18:22 查看 阅读:21

2SK3933-01SJ 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于高频率开关应用和电源管理领域。该器件采用高密度单元设计,具有低导通电阻和优异的热稳定性,适合用于DC-DC转换器、电池充电器和负载开关等场景。该型号封装为SOP6(小外形封装6引脚),具备良好的散热性能和紧凑的尺寸,适合空间受限的电路设计。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):20V
  最大连续漏极电流(ID):5A
  最大导通电阻(RDS(on)):0.045Ω @ VGS=10V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:SOP6

特性

2SK3933-01SJ具有多个关键特性,使其在电源管理应用中表现优异。首先,其低导通电阻(RDS(on))能够显著降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,该MOSFET的快速开关特性使其适用于高频DC-DC转换器,有助于减小外部电感和电容的尺寸,从而实现紧凑型设计。该器件的SOP6封装形式具备良好的热管理能力,即使在高负载条件下也能保持稳定运行。
  在可靠性方面,2SK3933-01SJ通过了严格的工业标准测试,具备较强的抗静电能力和过温保护性能。此外,其栅极驱动电压范围较宽(可支持4.5V至20V),适用于多种驱动电路配置。这使得该器件能够灵活地用于不同类型的电源管理系统中,包括电池供电设备和负载开关控制。
  该MOSFET还具备低栅极电荷(Qg)特性,有助于减少开关过程中的能量损耗,从而进一步提升系统效率并降低发热。此外,其漏极电流额定值高达5A,在小型封装器件中具备较高的电流承载能力,适用于高功率密度设计。

应用

2SK3933-01SJ广泛应用于多种电源管理和开关电路中。常见用途包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池充电器、负载开关以及电机控制电路。由于其具备低导通电阻和良好的热稳定性,该器件特别适合用于需要高效能和紧凑设计的便携式电子设备,如笔记本电脑、平板电脑、智能手机和无人机等。此外,在工业自动化设备和嵌入式系统中,该MOSFET也常用于电源分配和负载控制,以提高系统的稳定性和能效。

替代型号

Si2302DS, AO3400A, IRF7409, FDS6675, 2SK3896-01SJ

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