TGA2704 时间：2025/8/16 7:03:09 阅读：4

TGA2704 是一款由 Toshiba（东芝）公司生产的 GaAs（砷化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT）射频功率放大器晶体管。该器件专为在高频率环境下提供高功率增益和效率而设计，广泛应用于无线通信、雷达、测试设备和工业控制系统等领域。TGA2704 采用 6 引脚表面贴装封装，具备优良的热稳定性和高频性能，适合在 2GHz 至 18GHz 的频率范围内工作。其内部结构优化，确保在高输出功率下仍能保持良好的线性度和稳定性。

参数

工作频率范围：2 GHz - 18 GHz
　　输出功率：典型值 2 W（在 12 GHz 时）
　　增益：> 10 dB（典型值）
　　漏极电压（Vd）：最大 12 V
　　栅极电压（Vg）：-2.5 V 至 0 V
　　工作电流（Id）：典型值 300 mA
　　封装类型：6 引脚 SMD（表面贴装）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

TGA2704 是一款高性能 GaAs HEMT 功率放大器晶体管，其采用了先进的 GaAs 半导体技术和 HEMT 结构，能够在高频段实现卓越的功率放大性能。该晶体管在 2GHz 至 18GHz 的宽频率范围内均表现出稳定的增益和输出功率，适用于多频段通信系统。其高电子迁移率特性使得器件在高频率下仍能保持良好的导通性能，降低了信号失真和噪声干扰。
　　该器件的增益通常超过 10 dB，确保信号在放大过程中保持较高的线性度和保真度。此外，TGA2704 在 12 GHz 频率下的典型输出功率可达 2 W，满足许多高性能射频系统对功率输出的需求。其漏极电压最大支持 12 V，栅极电压可在 -2.5 V 至 0 V 范围内调节，以实现对工作点的精确控制，从而优化功耗和线性性能。
　　TGA2704 的封装采用 6 引脚表面贴装技术，便于在 PCB 上安装并实现良好的热管理。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应多种恶劣环境条件，确保在高可靠性应用场景下的稳定运行。该晶体管还具备良好的抗热冲击性能，能够在高输出功率下保持长时间工作的稳定性，适用于工业级和军事级设备。

应用

TGA2704 广泛应用于射频和微波通信系统中，包括无线基站、雷达系统、测试与测量仪器、卫星通信设备、工业控制系统以及高频率功率放大器模块。由于其宽频率响应和高功率输出能力，TGA2704 特别适用于需要在 2GHz 至 18GHz 频段工作的高性能放大电路。此外，该器件还可用于射频信号链中的前级或中继放大器，以提升系统的整体信号强度和稳定性。