类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：11A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.55Ω（最大）
　　功率耗散（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220FP

KP11N60D-RTF/H 采用先进的平面工艺技术制造，具备出色的导通特性和开关性能。其主要特性包括：
　　1. 高耐压能力：600V的漏源电压额定值使其能够适用于高电压应用场景，如电源适配器和工业电源设备。
　　2. 低导通电阻：最大Rds(on)为0.55Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　3. 高功率耗散能力：150W的额定功率允许其在高负载条件下运行而不会导致过热问题。
　　4. 热稳定性好：TO-220FP封装提供了良好的散热性能，确保器件在高温环境下稳定运行。
　　5. 高栅极电压容限：±30V的栅源电压允许灵活的驱动设计，提高系统的可靠性。
　　此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬态电压冲击，从而提高系统的耐用性和寿命。

KP11N60D-RTF/H 适用于多种电力电子应用，主要包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC转换器的主开关，提供高效率和紧凑的设计方案。
　　2. DC-DC转换器：在隔离或非隔离型转换器中作为高频开关，支持高频率工作和低损耗。
　　3. 马达驱动器：适用于工业自动化设备和电动工具中的马达控制电路。
　　4. 充电器和适配器：在笔记本电脑、智能手机等设备的电源适配器中作为功率开关元件。
　　5. LED照明驱动：用于LED路灯、室内照明等大功率LED驱动电源的设计。
　　6. 工业控制系统：用于PLC、变频器等工业设备中的电源管理和功率控制电路。

K2143, 11N60C3, FQP11N60C