TGA2611-SM 时间：2025/8/16 3:08:00 阅读：5

TGA2611-SM 是一款由 Qorvo（原TriQuint）制造的 GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高功率、高频应用设计。这款射频功率晶体管主要面向商业和军用通信系统、雷达、测试设备等应用。TGA2611-SM 在 X 波段和 Ku 波段表现出色，具备高功率密度、高效率和高可靠性，适用于需要高线性度和高输出功率的场景。

参数

类型：GaN HEMT
　　工作频率：最高至 18 GHz
　　输出功率：110 W（典型值）
　　增益：16 dB（最小值）
　　效率：45%（典型值）
　　漏极电压：28 V
　　封装类型：表面贴装（Surface Mount）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

TGA2611-SM 采用先进的 GaN 技术，提供高功率密度和出色的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作。其高击穿电压特性使其适用于高电压应用，同时具备良好的抗失真性能，适合用于高线性度要求的通信系统。该器件的封装设计优化了射频性能，支持表面贴装工艺，便于集成到现代高频电路板中。此外，其高可靠性和长寿命使其在军用和工业环境中具有广泛应用前景。
　　TGA2611-SM 在 X 波段和 Ku 波段应用中表现出色，适用于脉冲雷达、卫星通信、微波链路等系统。该器件的宽带特性使其能够在多个频段内工作，提高了设计的灵活性。由于其高效率和高输出功率特性，该晶体管在高功率放大器设计中具有显著优势，有助于减少系统散热需求并提升整体能效。