时间：2025/8/14 22:49:32
阅读：21
PJU2NA70是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）制造。该器件主要用于需要高效率和快速开关特性的应用中，如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。作为一款N沟道增强型MOSFET，PJU2NA70具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压以及良好的热稳定性，适用于多种高功率密度设计场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：700V
最大漏极电流（Id）：15A（连续）
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约0.42Ω（典型值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220或类似功率封装
最大功耗（Pd）：100W（取决于散热条件）
PJU2NA70的主要特性包括其高电压耐受能力（700V Vds），使其适用于高电压应用，如离线电源和AC-DC转换器。该器件的低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率，同时减少发热，从而延长使用寿命并提升可靠性。此外，PJU2NA70具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于紧凑型高功率设计。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（通常为+10V至+20V），允许用户根据应用需求选择适当的驱动电压以优化开关性能。其快速开关能力降低了开关损耗，适用于高频操作场景。此外，器件的封装设计有助于有效的散热管理，确保在高电流条件下也能保持稳定运行。
安全性和保护功能方面，PJU2NA70具备过热保护和短路耐受能力，在极端工作条件下仍能维持一定的可靠性。这些特性使其成为工业电源、照明设备、电机控制电路和消费类电子产品中理想的功率开关元件。
PJU2NA70广泛应用于各种电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、LED照明驱动电路、电机控制模块以及电池管理系统。在这些应用中，它主要用于实现高效的能量转换和精确的功率控制。此外，由于其高耐压特性，该器件也常用于需要直接接入市电的电器设备中，如智能电表、家电控制器和工业自动化系统。
TK15A70D, 2SK2143, 2SK2545, IRFBC40, PJU2NA60
