时间：2025/12/29 14:17:23
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TGA25N120ND是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效率和高性能的电力电子设备中。这款MOSFET具有1200V的漏源电压（VDS）和25A的连续漏极电流（ID），适用于高功率应用，如逆变器、电机控制和电源系统。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：1200V
连续漏极电流（ID）：25A
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.45Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
TGA25N120ND具有低导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。该器件设计用于高频开关应用，具有快速开关速度和低开关损耗的特性。此外，其坚固的结构和高雪崩能量耐受能力确保了在严苛工作条件下的可靠运行。这款MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高温度环境下保持稳定性能。
由于其高栅极电荷（Qg）特性，TGA25N120ND在高功率应用中表现出优异的控制能力，适合用于需要精确控制的电力电子系统。该器件的高耐压能力和高电流容量使其成为工业电机驱动、可再生能源系统和电源转换设备的理想选择。
TGA25N120ND常用于工业电机控制、电源转换器、逆变器、不间断电源（UPS）和可再生能源系统等高功率电子设备中。其高电压和大电流处理能力使其适用于需要高效能功率管理的场合。此外，这款MOSFET也适用于各种开关电源和电力电子变换器设计，为现代电力电子系统提供可靠的支持。
在实际应用中，TGA25N120ND可以作为主开关元件用于DC-AC逆变器和AC-DC整流器，实现高效的能量转换。它还广泛应用于电动汽车充电系统和工业自动化设备中，提供稳定的功率控制能力。
TK25N120
