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CS5124XDR8G 发布时间 时间:2025/4/29 9:01:07 查看 阅读:2

CS5124XDR8G 是一款高性能的存储芯片,属于 DDR 系列。该芯片主要应用于需要高带宽和低延迟的数据传输场景。它采用了先进的制程工艺,能够提供稳定的性能表现,并且支持多种工作模式以满足不同应用场景的需求。
  该芯片具有多通道数据传输能力,可广泛应用于服务器、网络设备以及高端计算平台等对数据吞吐量要求较高的领域。

参数

类型:存储芯片
  系列:DDR
  容量:8GB
  接口:DDR4
  工作电压:1.2V
  数据速率:2400MT/s
  封装形式:FBGA
  引脚数:260
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
  制程工艺:1x nm

特性

CS5124XDR8G 芯片具有以下显著特性:
  1. 高速数据传输:支持 2400MT/s 的数据速率,确保了高效的数据处理能力。
  2. 多通道设计:具备多条数据传输通道,有效提升整体系统性能。
  3. 低功耗运行:采用 1.2V 工作电压,能够在保证性能的同时降低能耗。
  4. 稳定性强:通过优化的内部架构设计,芯片在各种复杂环境下均能保持稳定运行。
  5. 广泛兼容性:支持主流的操作系统和硬件平台,便于集成到现有系统中。

应用

CS5124XDR8G 主要应用于以下领域:
  1. 企业级服务器:为服务器提供高速、可靠的内存支持,适用于大数据分析和云计算等场景。
  2. 网络通信设备:如路由器和交换机,用于提升数据包转发效率和处理能力。
  3. 高性能计算:在科学计算、工程模拟等领域中,作为关键组件提供强大的数据处理能力。
  4. 数据中心:助力数据中心实现更高的运算能力和更低的能耗水平。
  5. 嵌入式系统:为嵌入式设备提供快速、高效的内存解决方案。

替代型号

CS5124XDR16G, CS5124XDR4G

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CS5124XDR8G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器
  • 系列-
  • PWM 型电流模式
  • 输出数1
  • 频率 - 最大440kHz
  • 占空比85%
  • 电源电压7.6 V ~ 20 V
  • 降压
  • 升压
  • 回扫
  • 反相
  • 倍增器
  • 除法器
  • Cuk
  • 隔离
  • 工作温度-40°C ~ 105°C
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称CS5124XDR8GOSTR