TGA2565-SM 是一款由 Qorvo(原 TriQuint)生产的高性能 GaN(氮化镓)功率放大器芯片,广泛应用于无线通信、雷达、测试设备以及军事和航空航天领域。该器件基于 GaN 技术,提供高效率、高增益和高输出功率的特性,适合在高频段(如 L 波段和 S 波段)下工作。TGA2565-SM 采用紧凑的表面贴装封装,便于集成到现代射频系统中。
工作频率:0.1 GHz - 6 GHz
输出功率:32 dBm(典型值)
增益:23 dB(典型值)
电源电压:+28 V
电流消耗:350 mA(典型值)
封装类型:表面贴装(SMT)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
输入/输出阻抗:50Ω
TGA2565-SM 采用先进的 GaN 技术制造,具有出色的热稳定性和高功率密度,能够在高频率范围内提供稳定的性能。其宽带设计使其适用于多种射频应用,支持从 0.1 GHz 到 6 GHz 的宽频率范围。该器件具有高增益(23 dB 典型值)和高线性输出功率(32 dBm),同时在工作频率范围内保持较低的插入损耗。此外,TGA2565-SM 的封装设计优化了散热性能,使其在高功率工作条件下仍能保持良好的可靠性。该器件具有出色的抗干扰能力,能够在恶劣的电磁环境中稳定运行,非常适合用于军用和工业级设备。
TGA2565-SM 的偏置电路设计灵活,支持多种偏置方式,便于系统集成。其高效率和低功耗特性有助于减少系统整体的能耗,提高系统的稳定性和使用寿命。此外,该芯片的表面贴装封装(SMT)形式简化了 PCB 布局,降低了制造成本,并提高了生产效率。
TGA2565-SM 主要用于需要高功率放大和宽带覆盖的射频系统中,如无线基础设施、雷达系统、测试与测量设备、电子战系统、工业控制系统以及航空航天和国防通信设备。该芯片的高可靠性和宽频率响应也使其适用于多频段或多模式通信系统,如 LTE、WiMAX 和其他宽带无线通信标准。此外,TGA2565-SM 也广泛应用于各种射频激励器、中继器和发射机系统中,作为主放大器或驱动放大器使用。
TGA2559-SM, TGA2560-SM