HY628128 时间：2025/9/1 17:31:09 阅读：26

HY628128是一种静态随机存取存储器（SRAM）芯片，由Hynix（现为SK Hynix）生产。该芯片具有128Kbit的存储容量，组织形式为16K x 8位，意味着它具有16384个地址，每个地址可以存储8位数据。HY628128通常用于需要高速数据访问和低延迟的系统中，例如工业控制设备、通信设备、嵌入式系统和消费电子产品。该SRAM芯片无需刷新机制，相比DRAM具有更高的稳定性和更低的功耗。它通常采用标准的TSOP或DIP封装形式，适用于多种电子设计应用场景。

参数

工作电压：2.4V至5.5V
　　存储容量：128Kbit（16K x 8）
　　访问时间：55ns/70ns/85ns可选（根据具体型号后缀）
　　封装类型：TSOP、DIP、SOIC
　　工作温度范围：工业级（-40℃至+85℃）或商业级（0℃至70℃）
　　输入/输出电平：兼容TTL和CMOS
　　工作模式：异步SRAM
　　功耗：典型待机电流小于10mA

特性

HY628128 SRAM芯片的主要特性之一是其宽电压工作范围，能够在2.4V至5.5V之间正常运行，使其适用于多种电源架构的系统设计。这种灵活性降低了对外部电压调节器的依赖，有助于简化电路设计并提高系统的可靠性。此外，该芯片提供多种访问时间选项，包括55ns、70ns和85ns，设计人员可以根据系统需求选择适当的型号以平衡速度与成本。
　　该芯片支持异步操作模式，不需要时钟信号进行同步，这使得其在简单的微处理器或控制器系统中非常适用。HY628128的高速访问特性使其在实时控制系统中表现出色，如嵌入式设备和数据缓冲器。此外，其低待机功耗特性有助于延长电池供电设备的使用寿命。
　　该芯片的输入和输出引脚兼容TTL和CMOS电平，使得它能够与各种数字系统无缝连接。其工业级温度范围（-40℃至+85℃）确保其在恶劣环境条件下仍能保持稳定运行，适合工业自动化和通信设备使用。

应用

HY628128广泛应用于需要快速数据存取且不需要刷新机制的系统中。其主要应用场景包括工业控制设备，如PLC（可编程逻辑控制器）、数据采集系统和嵌入式系统。由于其低功耗和高速特性，该芯片也常用于便携式电子设备、智能仪表、通信模块以及网络设备中的缓存存储器。
　　在消费电子产品中，HY628128可用于游戏机、数码相机和音频播放器中的临时数据存储。此外，在汽车电子系统中，如车载导航系统或车载娱乐系统，该芯片也扮演着关键的存储角色，提供快速访问的临时数据存储空间。