时间：2025/9/15 1:05:35
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PSMN2R7-30PL 是一款由 NXP（恩智浦）推出的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和优异的开关性能。PSMN2R7-30PL 的设计使其适用于电池管理系统、DC-DC 转换器、负载开关以及各种电源管理应用。该器件采用 8 引脚 DFN 封装，具有良好的热管理和空间利用率。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 VDS：30V
栅源电压 VGS：±20V
最大连续漏极电流 ID：12A（在 VGS=10V 时）
导通电阻 RDS(on)：2.7mΩ（典型值）
栅极电荷 Qg：15nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：8 引脚 DFN（5mm x 6mm）
PSMN2R7-30PL 采用了先进的沟槽型 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中功率损耗显著降低，从而提高了整体系统效率。该器件的低栅极电荷（Qg）也使得其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了响应速度。
此外，该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅源电压，具有良好的栅极稳定性，能够承受一定的电压波动，增强了在复杂电源环境中的可靠性。其 8 引脚 DFN 封装不仅提供了紧凑的外形尺寸，还优化了热管理性能，使得器件能够在较高的环境温度下稳定运行。
PSMN2R7-30PL 还具备出色的耐用性和抗干扰能力，能够在高电流和高频率条件下长期稳定工作，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子系统。该器件的快速开关特性也有助于提高电源转换器的效率，减少外围电路的复杂度。
PSMN2R7-30PL 广泛应用于多个领域，包括但不限于：高性能 DC-DC 降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机控制、服务器电源、工业自动化设备以及汽车电子系统中的电源管理模块。由于其优异的导通性能和高频响应能力，该器件非常适合用于需要高效率和高可靠性的现代电子设备。
PSMN3R8-30PL, PSMN5R5-30LD, PSMN1R8-30PL
