类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大漏极电流（ID）：47A
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.04Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：50nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-247

TG47-20N具备多项优异的电气和物理特性，使其在多种功率应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，特别适用于高电流工作环境。此外，该器件的高漏极电流能力（47A）确保其能够承受较大的负载，适用于电机驱动和大功率电源转换器。
　　其次，TG47-20N采用了东芝先进的沟槽式MOSFET技术，使得其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗并提高响应速度。这对于现代开关电源（SMPS）和DC-DC转换器尤为重要。
　　再者，该器件具备较高的热稳定性和耐久性，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，适应严苛的工业和汽车电子环境。同时，TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和维护。
　　最后，TG47-20N的栅极电荷（Qg）较低（50nC），意味着其驱动损耗较小，进一步提升了整体系统效率，并降低了对驱动电路的要求。

TG47-20N广泛应用于多个领域，尤其适用于需要高功率处理能力和高效率的电子系统。
　　在电源管理方面，TG47-20N常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和不间断电源（UPS），其低导通电阻和高开关速度有助于提高电源转换效率并减少热量产生。
　　在电机控制领域，该器件可用于直流电机驱动、伺服电机控制和步进电机驱动，其高电流承载能力和良好的热稳定性确保了系统在高负载下的稳定运行。
　　此外，TG47-20N也适用于电池管理系统（BMS）、逆变器和功率因数校正（PFC）电路，特别是在电动汽车和储能系统中发挥重要作用。
　　在工业自动化和自动化设备中，TG47-20N可用于控制大功率负载，如加热元件、照明系统和工业机器人，其高可靠性和长寿命使其成为工业级应用的理想选择。

IXFH47N20P、STP47N20M5、IRFP4768PBF