类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：12A（在25℃）
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为 4.2mΩ（在VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V 至 2.5V
　　最大功耗（PD）：48W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：PowerPAK SO-8 双片封装

DME2838 MOSFET 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。由于其 RDS(on) 在 10V 栅极电压下仅为 4.2mΩ，该器件非常适合用于高电流应用，例如同步整流器、DC-DC 转换器和负载开关。
　　此外，DME2838 采用 PowerPAK SO-8 封装，这是一种双片封装结构，能够有效提高散热性能，从而在高功率密度设计中提供更稳定的热管理。该封装形式还具有良好的焊接可靠性和较低的热阻，有助于提高器件的长期稳定性。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，适合与多种控制器和驱动器配合使用。其栅极阈值电压较低，通常在 1.0V 至 2.5V 之间，这意味着它可以使用低电压逻辑信号进行驱动，适用于多种数字控制应用。
　　另一个显著优势是 DME2838 的高耐用性和可靠性，适用于严苛的工作环境。其最大漏源电压为 30V，最大漏极电流可达 12A，适用于多种中功率开关应用。此外，该器件在工作温度范围上支持 -55℃ 至 +150℃，可在高温或低温环境中稳定运行。

DME2838 常见于各种电源管理电路中，例如同步降压和升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源分配系统以及马达驱动电路。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源转换和功率开关控制的理想选择。
　　在服务器和通信设备的电源模块中，DME2838 可作为高侧或低侧开关使用，提高转换效率并减少热损耗。此外，该器件也广泛应用于消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能充电器等，以实现高效的电源管理。
　　工业控制系统中，DME2838 可用于电机控制、继电器驱动以及直流电源分配。其高可靠性和热稳定性使其在工业环境中表现优异。同时，该器件也适用于太阳能逆变器、LED 照明驱动器以及电动工具等应用。

SiSS188N, TPS62130A, NVTFS5C471NL, DMP2838L