时间：2025/5/21 19:34:32
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TG.35.8113是一种高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的场景。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，从而提高了整体效率并减少了能量损耗。
这款芯片能够在较高的频率下工作，同时保持较低的开关损耗，这使得它非常适合用于现代电子设备中对功率管理要求严格的场合。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：25A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：35nC
开关时间：10ns
工作温度范围：-55℃至150℃
TG.35.8113具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率转换。
2. 高速开关能力使其适用于高频应用环境。
3. 良好的热稳定性允许其在较宽的工作温度范围内可靠运行。
4. 内置过温保护和过流保护功能，增强了芯片的安全性和使用寿命。
5. 小型化封装设计节省了电路板空间，适合紧凑型设计需求。
TG.35.8113适用于多种功率转换和控制应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 新能源领域如太阳能逆变器中的功率调节。
4. 工业自动化设备中的负载控制和保护。
5. 汽车电子系统中的电池管理和DC-DC转换。
IRFZ44N
FDP55N06L
STP25NF06
