类型：齐纳二极管
　　封装形式：SOD-923
　　标称齐纳电压：3.3V
　　齐纳测试电流：5mA
　　最大齐纳阻抗：40Ω
　　最大耗散功率：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　反向漏电流：≤1μA @ 1V

TFZVTR3.3B齐纳二极管在多个关键性能方面表现出色，尤其适用于高密度、低功耗的现代电子系统。首先，其采用的SOD-923封装是目前市场上最小的表面贴装二极管封装之一，尺寸仅为1.0mm × 0.8mm × 0.5mm，极大节省了PCB布局空间，非常适合用于高度集成的移动设备和微型模块中。这种紧凑的设计不仅有助于缩小终端产品的体积，还提升了整体组装效率，支持自动化高速贴片工艺。
　　其次，该器件的标称齐纳电压为3.3V，在5mA的测试电流下能提供稳定的电压输出，适用于为微控制器、传感器、ADC参考源等提供精确的基准电压。其最大齐纳阻抗为40Ω，确保在负载变化时仍能维持较小的电压波动，提升系统的稳定性。同时，较低的动态阻抗也意味着更强的抗干扰能力，有助于抑制电源噪声对敏感电路的影响。
　　再者，TFZVTR3.3B具备良好的热稳定性和长期老化特性。得益于东芝成熟的半导体工艺控制，该器件在-55°C至+150°C的宽温度范围内均可稳定工作，适用于各种严苛环境下的应用。其最大功耗可达200mW，虽然属于小型封装，但仍能在适当散热条件下承受瞬态过载，增强了系统的鲁棒性。
　　此外，该器件的反向漏电流极低（≤1μA @ 1V），在待机或低功耗模式下几乎不会产生额外能耗，有利于延长电池供电设备的续航时间。结合其快速响应能力和优异的电压钳位性能，TFZVTR3.3B也可作为ESD保护或瞬态电压抑制元件使用，防止因静电放电或电压浪涌导致下游电路损坏。
　　最后，该产品符合国际环保标准，不含铅、镉等有害物质，且通过无卤认证，符合全球绿色制造趋势。综合来看，TFZVTR3.3B是一款集小型化、高性能与高可靠性于一体的齐纳二极管，特别适合用于消费类电子、工业控制及通信模块中的电压参考与保护场景。

TFZVTR3.3B广泛应用于各类需要稳定电压参考或过压保护的小型电子设备中。常见使用场景包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、智能手表和无线耳机等，用于为内部模拟电路或传感器提供3.3V基准电压。此外，在电源管理单元（PMU）或LDO稳压器的反馈回路中，该器件可用于精确设定输出电压值，提高电源系统的精度与稳定性。
　　在工业控制领域，TFZVTR3.3B可用于PLC模块、传感器信号调理电路以及数据采集系统中，作为电压钳位元件防止输入信号超出允许范围，从而保护后级IC不受损害。其高可靠性和宽温特性使其适用于较为恶劣的工作环境。
　　在通信设备方面，该齐纳二极管常被用作接口电路（如I2C、SPI总线）的电平匹配与ESD防护元件，有效抑制总线上的电压尖峰，避免通信异常或芯片损坏。同时，由于其响应速度快、寄生参数小，也能在高频信号路径中发挥一定的保护作用。
　　另外，TFZVTR3.3B还可用于电池供电设备中的电压监测电路，配合比较器或MCU的ADC引脚实现低电量报警功能。其低漏电流特性有助于减少静态功耗，提升系统能效。
　　总体而言，该器件适用于所有需要3.3V稳压功能且对空间和功耗有严格要求的应用场合，是现代电子设计中理想的电压参考与保护解决方案之一。

MMBZ5226BLT1G
　　DFZVR3.3M-T