时间：2025/8/14 5:42:53
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MMBZ5244A_R1_00001是一款表面贴装型齐纳二极管（Zener Diode），由ROHM Semiconductor生产。齐纳二极管是一种特殊的二极管，能够在反向击穿区域工作，并保持稳定的电压，因此广泛用于电压调节、电压参考和电路保护应用。MMBZ5244A_R1_00001采用SOD-123表面贴装封装，适用于便携式电子设备、电源管理电路和小型电子系统。该器件设计用于提供精确的电压基准，并具有良好的温度稳定性和响应速度。
类型：齐纳二极管
封装类型：SOD-123
标称齐纳电压：10 V（在测试电流为5 mA时）
最大齐纳电流：200 mA
功率耗散：300 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
最大反向漏电流：100 nA（在最大额定电压的90%下）
测试电流：5 mA
齐纳阻抗：80 Ω（最大）
温度系数：±50 ppm/°C（典型值）
MMBZ5244A_R1_00001具有多项优良的电气和物理特性，适用于高精度电压调节和参考应用。该器件的齐纳电压精度高，通常在±1%以内，确保了在各种电路环境中都能提供稳定的电压参考。其低温度系数（±50 ppm/°C）使得该齐纳二极管在环境温度变化较大的情况下仍能保持稳定的电压输出，适用于对温度稳定性要求较高的精密电子设备。
该器件采用SOD-123封装，体积小巧，适合在空间受限的PCB设计中使用。同时，该封装具有良好的热传导性能，有助于器件在较高电流下稳定运行。MMBZ5244A_R1_00001的最大功耗为300 mW，能够承受一定的功率负载，适用于低至中功率的电压调节应用。
此外，该齐纳二极管具有快速响应时间和低反向漏电流特性，能够在瞬态条件下提供良好的电压钳位保护。其最大反向漏电流仅为100 nA，在低功耗和高阻抗电路中表现出色，不会对电路的静态功耗造成显著影响。这使得它在电池供电设备和低功耗系统中尤为适用。
由于其优异的稳定性和可靠性，MMBZ5244A_R1_00001广泛用于电源管理、电压参考源、电压检测电路、过压保护电路以及模拟和数字电路中的基准电压生成。
该器件广泛应用于需要稳定电压参考的电路中，如电源管理系统、DC-DC转换器、LDO稳压器反馈电路、电压监测电路、电池充电电路以及精密测量仪器。此外，它还可用于通信设备、消费类电子产品、工业控制系统和汽车电子中的电压调节和保护应用。
MMBZ5244A-TP, MMSZ5244B-TP, 1N4740A-TR, BZX84C10
