TFZVTR13B 时间：2025/12/25 13:19:06 阅读：29

TFZVTR13B是一款由东芝（Toshiba）生产的表面贴装型齐纳二极管，主要用于电压调节、电路保护和参考电压生成等应用。该器件采用小型SOD-523封装，具有体积小、响应速度快和可靠性高等特点，非常适合在空间受限的便携式电子设备中使用。TFZVTR13B的标称齐纳电压为13V，能够在较小的动态电阻下稳定工作，提供精确的电压钳位功能。这款齐纳二极管经过优化设计，具备良好的温度稳定性和长期稳定性，适用于各类消费类电子产品、通信设备以及工业控制电路中的过压保护和稳压需求。其结构采用先进的半导体工艺制造，确保了在高频开关环境或瞬态电压冲击下的可靠性能。此外，该器件符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适应现代电子制造的绿色生产标准。TFZVTR13B常用于电源管理单元、接口保护电路、信号电平钳位及反馈回路中作为基准元件，是中小功率稳压场景下的理想选择之一。

参数

型号：TFZVTR13B
　　封装类型：SOD-523
　　齐纳电压（Vz）：13V @ Iz = 5mA
　　测试电流（Iz）：5mA
　　最大耗散功率（Ptot）：200mW
　　动态阻抗（Zzt）：≤35Ω @ 5mA
　　漏电流（Ir）：< 1μA @ VR = 10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　极性：单向齐纳二极管

特性

TFZVTR13B齐纳二极管的核心特性在于其高精度的电压调节能力和优异的热稳定性。该器件在额定测试电流5mA条件下可提供稳定的13V齐纳电压，且电压容差控制在±5%以内，确保系统设计时具备足够的电压一致性与可预测性。其低动态阻抗（通常不超过35Ω）意味着在负载变化或输入波动时仍能维持输出电压的平稳，有效提升电源系统的抗干扰能力。由于采用了高性能PN结结构和优化的掺杂工艺，TFZVTR13B在反向击穿区域表现出极小的噪声水平，适合对信号完整性要求较高的模拟电路或参考源应用。
　　该器件的SOD-523封装尺寸仅为1.6mm × 1.2mm × 0.8mm，极大节省了PCB布局空间，特别适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等紧凑型电子产品。尽管体积小巧，但其最大功耗可达200mW，在自然对流散热条件下足以应对大多数低功耗稳压任务。同时，它具备出色的温度系数表现，在-55°C至+150°C的工作范围内保持电气特性稳定，避免因温漂引起的性能下降。
　　TFZVTR13B还具有快速响应特性，能在纳秒级时间内进入击穿状态，及时抑制瞬态过电压事件，从而保护后续敏感元件免受损坏。这种能力使其广泛应用于ESD防护、浪涌吸收和电源轨钳位等场景。此外，器件通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），增强了其在汽车电子领域的适用性。整体而言，TFZVTR13B凭借小型化、高可靠性与良好电学性能的结合，成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

应用

TFZVTR13B广泛应用于需要精确电压钳位或参考电压生成的各类电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如手机、蓝牙耳机和智能手表中的LDO稳压器反馈网络，用作电压采样基准以实现闭环调节。在接口电路保护方面，该齐纳二极管可用于USB、I2C、UART等信号线的过压防护，防止静电放电（ESD）或意外接错电源导致芯片损坏。
　　在工业控制领域，TFZVTR13B常被集成于传感器信号调理电路中，为放大器或ADC提供稳定的偏置电压或限幅保护，确保测量精度不受电源波动影响。此外，在开关电源（SMPS）的反馈回路中，它可以作为辅助稳压元件，配合光耦实现输出电压的精准调控。对于嵌入式系统和微控制器单元（MCU），该器件可用于复位电路或看门狗定时器的电压监测部分，保障系统在异常供电情况下安全重启。
　　由于其良好的高频响应特性和低寄生参数，TFZVTR13B也适用于高频开关电路中的瞬态电压抑制，尤其在DC-DC转换器的输出端进行电压尖峰吸收。在汽车电子中，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和电池管理系统中，该齐纳二极管可用于电源轨监控和ESD保护，满足严苛的环境耐受要求。总体来看，TFZVTR13B适用于任何需要小型化、高可靠性电压保护与稳压功能的应用场景。