时间：2025/8/2 22:04:06
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TFW560N 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率密度和高效率应用设计。这款MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和各种高功率电子设备。TFW560N 采用先进的封装技术，确保在高电流条件下依然保持稳定的性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏-源电压（VDS）：60V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大为18mΩ（典型值为14mΩ）
功率耗散（PD）：160W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
TFW560N 的主要特性包括极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高电流承载能力使该器件适用于需要大功率输出的应用。此外，TFW560N 具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高整体系统的响应速度。
该MOSFET采用高可靠性封装，具备良好的散热性能，适合在高功率密度应用中使用。其高栅极阈值电压稳定性确保在各种工作条件下都能保持良好的控制性能。TFW560N 还具备良好的抗静电能力，提升了器件在复杂电磁环境中的可靠性。
在热性能方面，TFW560N 设计有高效的热管理机制，能够在高温环境下稳定运行。其封装材料符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计需求。
TFW560N 常用于电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器和电池充电电路。它也广泛应用于工业控制设备、电机驱动器和高功率LED照明系统。在汽车电子领域，TFW560N 可用于车载电源转换系统和电动助力转向控制模块。此外，该器件还可用于不间断电源（UPS）、逆变器和太阳能发电系统等需要高效能功率管理的场合。
SiHF560N, FDP560N, IRF560N
