时间：2025/8/11 4:16:28
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KSH13009 是一款N沟道功率MOSFET，常用于高电压、高电流的应用场景。这款器件通常设计用于需要高效率、快速开关性能的电源管理系统中。KSH13009采用了先进的制造工艺，具备优良的导通电阻和热稳定性，使其适用于各种工业和消费电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：最大900V
栅源电压（VGS）：±30V
漏极电流（ID）：8A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.5Ω（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220、TO-252等
KSH13009具有优异的开关性能和低导通电阻，能够在高电压条件下提供稳定的电流传输能力。其高耐压特性使其适用于高压电源转换器和马达控制电路。此外，该器件的热阻较低，有助于提高系统的热稳定性和长期可靠性。KSH13009还具备良好的抗过载和短路能力，适用于对安全性和稳定性要求较高的应用场景。
KSH13009的设计优化了高频开关特性，使其在DC-DC转换器、逆变器和电机驱动电路中表现优异。其封装形式多样，方便根据不同的散热需求进行选择，适用于高功率密度的设计需求。此外，该器件具备良好的抗静电能力，能够适应复杂的工作环境。
KSH13009广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制、逆变器、充电器、工业自动化设备以及消费类电子产品中。其高电压耐受能力和良好的导通性能也使其成为光伏逆变器和电动车充电系统中的理想选择。
KSH13009K、KSH13007、KSH13003、IRF740、2SK13009
